[发明专利]一种薄膜型多孔离子源的制备方法

权利要求书

1.一种薄膜型多孔离子源的制备方法，是将铼粉、铂粉和液体胶水的混合体制备成源片后，在真空中烧结成多孔离子源，制备过程包括原料混合、制备源片、烧结和涂样，其特征在于：所述制备源片是先将原料混合步骤制备的铼粉、铂粉和液体胶水的混合体加入稀释剂，充分搅拌成均匀的稀浆糊化的混合物，再将混合物倒入底面平整的模具中，使混合物在模具内形成平整的膜，并自然干燥后切割成源片；所述原料混合是先将铼粉和铂粉充分混合均匀后，加入液体胶水搅拌均匀并在自然环境条件下静置成均匀的混合体。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述原料混合过程中，铼粉、铂粉和液体胶水的重量比为1∶1∶1，混合体静置的时间为24h～48h。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述制备源片过程中，加入的稀释剂的量为铼粉、铂粉和液体胶水的混合体的体积的0.5～1倍。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述烧结是用液体胶水将源片粘接于灯丝上，自然干燥后制备成薄膜型多孔离子源，其中，烧结的最高温度为1700℃～1960℃。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：所述液体胶水中还加有溶剂，液体胶水和加入的溶剂的体积比为1∶1～1∶2。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：所述烧结过程中，粘接源片的灯丝的具体烧结流程为，以0.1A·min^-1的速率加载电流，直到0.9A，等待30min；再以0.5A·min^-1的速率加载电流，直到2.5A，等待20min；再以0.5A·min^-1的速率加载电流，直到4.3A，烧结10min；最后，降低电流至0A，在真空中冷却24h以上，制备成薄膜型多孔离子源。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述粘接源片的灯丝是在真空度小于1×10^-4pa下进行烧结。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述制备源片过程中，模具采用平整的聚四氟乙烯板。