[发明专利]具有高散热和电磁屏蔽性的扇出型封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种具有高散热和电磁屏蔽性的扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S10、提供载板和芯片，将所述芯片贴装于所述载板上，并使所述芯片的正面朝向所述载板；

S20、提供金属材质的散热屏蔽结构，所述散热屏蔽结构具有背向设置的凹槽和栅格，将所述散热屏蔽结构贴装于所述载板上，使所述芯片位于所述凹槽内并通过散热胶与所述凹槽连接；

S30、采用塑封料对所述散热屏蔽结构进行选择性塑封，形成覆盖所述散热屏蔽结构的外周并使所述栅格外露的塑封件；

S40、移除所述载板，然后翻转所述塑封件并固定，在所述塑封件靠近所述芯片正面的一侧以及所述芯片的正面依次制作种子层和重布线层，并在所述重布线层的焊盘区植入金属凸块。

2.根据权利要求1所述的具有高散热和电磁屏蔽性的扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，步骤S40具体包括以下步骤：

S40A、移除所述载板，然后翻转所述塑封件并通过另一临时键合胶贴装于另一载板上；

S40B、在所述塑封件靠近所述芯片正面的一侧以及所述芯片的正面贴装介电层，对所述介电层进行开孔处理，形成使所述芯片的I/O接口外露的通孔，所述介电层覆盖所述散热屏蔽结构远离所述栅格的一端面；

S40C、在所述介电层和所述通孔的表面依次制作所述种子层和重布线层；

S40D、在所述重布线层上制作使所述重布线层的焊盘区外露的阻焊层；

S40E、提供所述金属凸块，将所述金属凸块焊接植入所述焊盘区。

3.根据权利要求1所述的具有高散热和电磁屏蔽性的扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，步骤S40具体包括以下步骤：

S40a、移除所述载板，然后翻转所述塑封件并通过另一临时键合胶贴装于另一载板上；

S40b、在所述塑封件靠近所述芯片正面的一侧以及所述芯片的正面贴装介电层，对所述介电层进行开孔处理，形成使所述芯片的I/O接口外露的第一通孔和使所述散热屏蔽结构的部分端面外露的第二通孔；

S40c、在所述介电层、所述第一通孔和所述第二通孔的表面依次制作所述种子层和重布线层，使所述芯片的部分I/O接口通过所述重布线层和所述种子层与所述散热屏蔽结构连接以实现接地；

S40d、在所述重布线层上制作使所述重布线层的焊盘区外露的阻焊层；

S40e、提供所述金属凸块，将所述金属凸块焊接植入所述焊盘区。

4.根据权利要求1所述的具有高散热和电磁屏蔽性的扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，所述栅格包括2～50个间隔设置的栅格齿。

5.根据权利要求4所述的具有高散热和电磁屏蔽性的扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，所述栅格齿的高度为1～10毫米。

6.根据权利要求1所述的具有高散热和电磁屏蔽性的扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，所述散热屏蔽结构的材料为金、银、铜或者铜铝合金。

7.一种具有高散热和电磁屏蔽性的扇出型封装结构，采用权利要求1～6任一项所述的制备方法制得，其特征在于，包括：

散热屏蔽结构，包括散热屏蔽本体、位于所述散热屏蔽本体的第一面的凹槽和位于所述散热屏蔽本体的第二面的栅格，所述第一面与所述第二面相背；

塑封件，覆盖所述散热屏蔽本体的外周，且所述塑封件的一面与所述第一面平齐，另一面邻近所述第二面；

芯片，通过散热胶贴于所述凹槽内，所述芯片的正面与所述塑封件的表面平齐；

位于所述塑封件表面并与所述芯片的I/O接口电连接的种子层和位于所述种子层上的重布线层；

金属凸块，与所述重布线层的焊盘区焊接。