[发明专利]芯片封装方法、刻蚀设备及芯片

权利要求书

1.一种芯片封装方法，其特征在于，包括：

对芯片表面第一金属层进行刻蚀，以使所述第一金属层表面的粗糙度达到预设的粗糙度阈值，所述粗糙度阈值对应的范围包括：88um~108um；

在完成刻蚀后的所述第一金属层表面上设置第二金属层，所述第二金属层为AL层；

在对芯片表面第一金属层的刻蚀过程中，检测所述第一金属层表面的当前粗糙度；

根据所述当前粗糙度调整刻蚀过程中的刻蚀参数以控制所述第一金属层表面的所述粗糙度；

通过调整刻蚀过程中的刻蚀时间以控制所述第一金属层表面的所述粗糙度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属为TiN层；

所述对芯片表面第一金属层进行刻蚀，包括：

按照预设的刻蚀参数，对芯片表面所述TiN层进行刻蚀；

其中，所述刻蚀参数对应的范围包括：270W~330W。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述按照预设的刻蚀参数，对芯片表面所述TiN层进行刻蚀，包括：

将所述刻蚀参数设置为300W，对芯片表面的所述TiN层进行刻蚀。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述第一金属层表面的粗糙度达到预设的粗糙度阈值，包括：

所述TiN层的粗糙度达到98um。

5.一种刻蚀设备，其特征在于，包括：

刻蚀模块，用于对芯片表面第一金属层进行刻蚀，以使所述第一金属层表面的粗糙度达到预设的粗糙度阈值，所述粗糙度阈值对应的范围包括：88um~108um；

设置模块，用于在完成刻蚀后的所述第一金属层表面上设置第二金属层，所述第二金属层为AL层；

检测模块，用于在对芯片表面第一金属层的刻蚀过程中，检测所述第一金属层表面的当前粗糙度；

调整模块，用于根据所述当前粗糙度调整刻蚀过程中的刻蚀参数以控制所述第一金属层表面的所述粗糙度；

所述调整模块，还用于通过调整刻蚀过程中的刻蚀时间以控制所述第一金属层表面的所述粗糙度。

6.根据权利要求5所述的设备，其特征在于，所述第一金属为TiN层；所述刻蚀模块，具体用于按照预设的刻蚀参数，对芯片表面所述TiN层进行刻蚀；

其中，所述刻蚀参数对应的范围包括：270W~330W。

7.根据权利要求6所述的设备，其特征在于，所述刻蚀模块，具体用于将所述刻蚀参数设置为300W，对芯片表面的所述TiN层进行刻蚀。

8.根据权利要求6或7所述的设备，其特征在于，所述刻蚀模块，具体用于将所述TiN层的粗糙度达到98um。

9.一种采用权利要求1所述的芯片封装方法封装的芯片，包括衬底层、绝缘层、第一金属层、第二金属层以及钝化保护层；所述衬底层上设置有所述绝缘层，所述绝缘层上设置有所述第一金属层，所述第一金属层上设置有所述第二金属层，所述第二金属层上设置有所述钝化保护层，其特征在于，所述第一金属层靠近所述第二金属层一侧表面的粗糙度达到预设的粗糙度阈值；

其中，所述第二金属层为AL层，所述粗糙度阈值对应的范围为88um~108um。

10.根据权利要求9所述的芯片，其特征在于，所述第一金属层靠近所述AL层一侧表面的粗糙度阈值为98um。

11.根据权利要求10所述的芯片，其特征在于，所述第一金属层为TiN层；

所述粗糙度是按照270W~330W的刻蚀参数对所述TiN层靠近所述AL层一侧表面进行刻蚀得到的。

12.根据权利要求11所述的芯片，其特征在于，所述粗糙度是按照300W的刻蚀参数对所述TiN层靠近所述AL层一侧表面进行刻蚀得到的。