[发明专利]一种复合图形化衬底、制备方法及LED外延片有效
| 申请号： | 201911373514.0 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN113053724B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 王子荣;陆前军;张剑桥;张能 | 申请（专利权）人： | 东莞市中图半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 复合 图形 衬底 制备 方法 led 外延 | ||
1.一种复合图形化衬底的制备方法，其特征在于，包括：
提供一平片蓝宝石衬底；
在所述平片蓝宝石衬底上形成至少一层介质层，所述至少一层介质层包括位于底层且与所述平片蓝宝石衬底接触的第一介质层；
图案化所述至少一层介质层，形成多个异质微结构；其中包括：采用刻蚀液对所述第一介质层进行湿法刻蚀；所述平片蓝宝石衬底与所述刻蚀液的化学反应速率低于所述第一介质层与所述刻蚀液的化学反应速率；
所述至少一层介质层还包括第二介质层；
在所述平片蓝宝石衬底上形成至少一层介质层，包括：
在所述平片蓝宝石衬底上形成所述第一介质层；
在所述第一介质层上形成第二介质层；
图案化所述至少一层介质层，形成多个异质微结构，包括：
对所述第二介质层进行干法刻蚀，形成多个第二子异质微结构；
采用刻蚀液对所述第一介质层进行湿法刻蚀，形成第一子异质微结构，所述第一子异质微结构位于所述第二子异质微结构的底部，所述第一子异质微结构和所述第二子异质微结构组成所述异质微结构。
2.根据权利要求1所述的复合图形化衬底的制备方法，其特征在于，所述平片蓝宝石衬底与所述刻蚀液的化学反应速率为零。
3.根据权利要求1所述的复合图形化衬底的制备方法，其特征在于，所述第一介质层采用金属材料制成，所述第二介质层采用无机硅材料制成。
4.根据权利要求1所述的复合图形化衬底的制备方法，其特征在于，在所述平片蓝宝石衬底上形成所述第一介质层，包括：
通过物理气相沉积工艺，在所述平片蓝宝石衬底上形成所述第一介质层；
在所述第一介质层上形成第二介质层，包括：
通过化学气相沉积工艺，在所述第一介质层上形成所述第二介质层。
5.根据权利要求1所述的复合图形化衬底的制备方法，其特征在于，所述第一介质层的厚度范围为10-500nm；所述第二介质层的厚度范围为0.1-3μm。
6.一种复合图形化衬底，其特征在于，采用如权利要求1-5任一项所述的制备方法制备，所述复合图形化衬底包括蓝宝石衬底和位于所述蓝宝石衬底上的多个异质微结构。
7.根据权利要求6所述的复合图形化衬底，其特征在于，所述异质微结构包括第一子异质微结构和第二子异质微结构，所述第一子异质微结构位于所述第二子异质微结构的底部且与所述平片蓝宝石衬底接触。
8.根据权利要求6所述的复合图形化衬底，其特征在于，所述第二子异质微结构为圆锥型结构、圆台型结构、棱锥型结构、棱台型结构中的一种。
9.一种LED外延片，其特征在于，包括如权利要求6-8任一项所述的复合图形化衬底。
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