[发明专利]一种碳化硅改性的YAG:Ce荧光粉及其制备方法

权利要求书

1.一种碳化硅改性的YAG:Ce荧光粉，其特征在于，化学通式为Y_3-xAl₅O₁₂:xCe,ySiC，其中0x≤0.09，0y≤0.05；所述碳化硅改性的YAG:Ce荧光粉在460 nm的蓝光激发下，发射出主波长为556±2 nm的黄色荧光。

2.基于权利要求1所述的碳化硅改性的YAG:Ce荧光粉的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，根据化学通式Y_3-xAl₅O₁₂:xCe,ySiC中各元素的化学计量比，分别称取Y₂O₃、Al₂O₃、CeO₂、纳米SiC，其中0x≤0.09，0y≤0.05，采用行星式球磨机球磨10-20 h，得前驱体混合物；步骤2，将前驱体混合物装入高纯氧化铝坩埚内，再将高纯氧化铝坩埚置于高温管状炉中，在还原性气氛下，1400-1600 ℃，保温3-8 h，升温速率为300-600 ℃/h，合成的荧光粉随炉体自然冷却；步骤3，取出合成的荧光粉，放入盛有去离子水的烧杯中，加入质量分数为36%-38%的浓盐酸，其中去离子水与浓盐酸的体积比为10:1，在100 ℃条件下搅拌10-60 min，静置分层，滤掉上层澄清液后，用去离子水、乙醇清洗沉淀后，放入干燥箱中，在70 ℃下保温10-20 h，得到碳化硅改性的YAG:Ce荧光粉。

3.根据权利要求2所述的碳化硅改性的YAG:Ce荧光粉的制备方法，其特征在于，步骤1中所述SiC为高纯度纳米SiC，其纯度为99.9 %，粒径大小为40 nm。

4.根据权利要求2所述的碳化硅改性的YAG:Ce荧光粉的制备方法，其特征在于，步骤2中所述还原性气氛为H₂/N₂或H₂/Ar。