[发明专利]透明导电性薄膜及结晶性透明导电性薄膜在审
| 申请号： | 201911374409.9 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111383794A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 竹安智宏;酒井和也;西岛仁志 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B1/02;G06F3/041 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明 导电性 薄膜 结晶 | ||
【权利要求书】：
1.一种透明导电性薄膜，其特征在于，具备：透明基材、和配置于所述透明基材的厚度方向一侧的透明导电层，
所述透明导电层为非晶质，
所述透明导电层在厚度方向具有：由含有铪的铟系氧化物形成的Hf区域、和由含有锡的铟系氧化物形成的Sn区域。
2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述Hf区域配置于所述Sn区域的厚度方向一侧。
3.根据权利要求1或2所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述透明导电层的厚度为10nm以上且35nm以下。
4.根据权利要求1或2所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述透明基材为环烯烃系薄膜。
5.根据权利要求3所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述透明基材为环烯烃系薄膜。
6.一种结晶性透明导电性薄膜，其特征在于，其是将权利要求1～5中任一项所述的透明导电性薄膜的所述透明导电层结晶化而成的。
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