[发明专利]晶片抛光装置及方法

权利要求书

1.一种晶片抛光装置，其特征在于，包括转轴、抛头、多个压力传感器和多个驱动机构；所述压力传感器与所述驱动机构连接；

所述抛头设置在所述转轴的一端，所述抛头远离所述转轴的一侧用于固定晶片，所述转轴能够带动所述抛头转动；

多个所述压力传感器间隔设置在所述抛头上，在所述晶片的抛光过程中，用于检测所述晶片上对应位置的压力；

多个所述驱动机构均与所述抛头连接，当所述晶片的压力值超出设定阈值时，调节所述驱动机构作用在所述抛头上的压力，以使所述晶片与抛光平台之间的压力可调。

2.根据权利要求1所述的晶片抛光装置，其特征在于，晶片抛光装置包括抛头环，所述抛头环设置在所述抛头远离所述晶片的一侧，所述抛头环与所述转轴连接，以使所述转轴能够带动所述抛头和所述抛头环同步转动；

多个所述驱动机构间隔设置在所述抛头环上，所述驱动机构与所述压力传感器一一对应。

3.根据权利要求1所述的晶片抛光装置，其特征在于，所述晶片抛光装置包括浆料供给机构，所述浆料供给机构用于向抛光垫喷洒浆料；

所述浆料供给机构包括浆料桶和搅拌机构；

所述搅拌机构用于对所述浆料桶内的浆料进行预搅拌。

4.根据权利要求3所述的晶片抛光装置，其特征在于，所述浆料供给机构包括加热机构；

所述加热机构用于将所述浆料加热至预设温度。

5.根据权利要求4所述的晶片抛光装置，其特征在于，所述加热机构包括槽体、加热片和温度传感器；

所述加热片设置在所述槽体的外壁上，所述浆料桶设置在所述槽体内，所述加热片用于对所述槽体内的所述浆料桶进行加热；

所述温度传感器用于检测所述浆料的温度。

6.根据权利要求5所述的晶片抛光装置，其特征在于，所述槽体底部设置超声波震荡子，所述浆料供给机构包括超声控制器，所述超声波震荡子与所述超声控制器连接，所述超声控制器用于控制所述超声波震荡子的频率。

7.一种晶片抛光方法，其特征在于，包括以下步骤：

在抛光过程中，获取晶片的压力值；

当所述晶片的压力值超出设定阈值时，调节晶片与抛光平台之间的压力。

8.根据权利要求7所述的晶片抛光方法，其特征在于，所述在抛光过程中，获取晶片的压力值的步骤之前，制备设定温度的浆料；

将所述浆料喷洒向抛光垫。

9.根据权利要求8所述的晶片抛光方法，其特征在于，所述制备设定温度的抛光用浆料的步骤包括：

对浆料进行预搅拌；

将浆料加热到设定温度；

对浆料进行超声波搅拌。

10.根据权利要求9所述的晶片抛光方法，其特征在于，所述设定温度的范围为15-80℃。

11.根据权利要求9所述的晶片抛光方法，其特征在于，超声波的频率范围为14-96KHz。

12.根据权利要求8所述的晶片抛光方法，其特征在于，所述浆料的酸碱值为PH3-8。