[发明专利]一种刻蚀深槽的方法在审
| 申请号： | 201911374642.7 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111128715A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 缪新海;王友伟;蔡帅;顾鹏程 | 申请（专利权）人： | 爱特微（张家港）半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 杨静文 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种刻蚀深槽的方法，其特征在于，包括ME步骤，所述ME步骤如下：
A：以HBr气体为主要刻蚀气体，对Si层进行刻蚀，形成宽度和深度符合需求的深槽；
B：降低HBr气体的流量，混入SF6气体和He-O2气体，对所述槽底进行刻蚀，得到圆滑槽底。
2.根据权利要求1所述的刻蚀深槽的方法，其特征在于，所述ME步骤之前还包括BT步骤：刻蚀去除Si表面的自然氧化层SiO2，露出Si层。
3.根据权利要求1所述的刻蚀深槽的方法，其特征在于，所述步骤A中刻蚀气体还可以混入SF6气体和He-O2气体。
4.根据权利要求1所述的刻蚀深槽的方法，其特征在于，所述步骤B中HBr气体的流量降低后为原流量的2/3。
5.根据权利要求1所述的刻蚀深槽的方法，其特征在于，所述步骤B中HBr、SF6和He-O2气体的流量比为50：100：12。
6.根据权利要求2所述的刻蚀深槽的方法，其特征在于，所述BT步骤中刻蚀SiO2的的速率为菜单时间为20sec。
7.根据权利要求2所述的刻蚀深槽的方法，其特征在于，所述BT步骤中刻蚀SiO2的厚度为
8.根据权利要求3所述的刻蚀深槽的方法，其特征在于，所述HBr、SF6和He-O2气体的流量比为75：10：20。
9.根据权利1-8所述的刻蚀深槽的方法，适用于P5000多晶刻蚀设备进行操作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
