[发明专利]一种LED制备方法与待剥离LED结构

说明书

本申请提供了一种LED制备方法与待剥离LED结构，涉及半导体技术领域。首先提供一衬底，其中，衬底的一面上设置有周期性凸台结构，然后沿衬底制作第一掩膜层，其中，第一掩膜层包括凹陷区，凹陷区的底部露出衬底上的凸台结构，且凹陷区的底部宽度小于顶部宽度，再沿凹陷区内凸台结构的表面制作缓冲层，其中，缓冲层覆盖于凸台结构的表面，再沿凸台结构的台面上的缓冲层的表面生长基板层；其中，基板层与凸台结构之间形成生长空洞，再沿基板层的表面生长LED本体，再腐蚀第一掩膜层与基板层，以获取芯片本体，其中，芯片本体包括LED本体。本申请提供的LED制备方法与待剥离LED结构具有刻蚀速度更快且可靠性更好的效果。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种LED制备方法与待剥离LED结构。

背景技术

近年来半导体照明技术飞速发展，在高端照明的超大功率应用领域亦取得了长足的进步。目前，商业化LED照明用芯片主要是在蓝宝石衬底上制备，但是蓝宝石导热系数低，难以胜任大驱动电流的大功率照明应用，而普通倒装结构由于电极在同侧其电流的扩展效果不理想，因此在电流分布和散热技术上有巨大优势的垂直结构LED在超大功率应用上具有广阔的前景。

目前，垂直结构LED的制备方式中，主要采用在蓝宝石衬底上外延并剥离衬底技术实现。

然而，目前使用的湿法剥离技术一般直接采用腐蚀介质层的方案实现，但由于介质层数微米的厚度相比外延片数厘米甚至数十厘米的直径来讲差距巨大，因此其横向的腐蚀速度很慢。同时，由于目前生长质量最优的c面蓝宝石衬底上生长的氮化物外延一般靠近衬底面为N面，而常用的氮化物腐蚀液对N面的腐蚀速度极快，因此直接从介质腐蚀洞处腐蚀氮化物外延进行剥离，亦会出现还未腐蚀到里面的氮化物连接处时，边缘的外延层已经被腐蚀的情况，使得腐蚀可靠性比较差。

综上，现有的湿法剥离技术中，存在横向腐蚀速率慢，且腐蚀可靠性差的问题。

发明内容

本申请的目的在于提供一种LED制备方法与待剥离LED结构，以解决现有技术中湿法剥离技术中存在的横向腐蚀速率慢，且腐蚀可靠性差的问题。

为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：

一方面，本申请实施例提供了一种LED制备方法，所述方法包括：

提供一衬底，其中，所述衬底的一面上设置有周期性凸台结构；

沿所述衬底制作第一掩膜层，其中，所述第一掩膜层包括凹陷区，所述凹陷区的底部露出所述衬底上的凸台结构，且所述凹陷区的底部宽度小于顶部宽度；

沿所述凹陷区内凸台结构的表面制作缓冲层，其中，所述缓冲层覆盖于所述凸台结构的表面；

沿所述凸台结构的台面上的缓冲层的表面生长基板层；其中，所述基板层与所述凸台结构之间形成生长空洞；

沿所述基板层的表面生长LED本体；

腐蚀所述第一掩膜层与所述基板层，以获取芯片本体，其中，所述芯片本体包括LED本体。

进一步地，在所述沿所述凹陷区内的凸台结构的表面生长缓冲层的步骤之前，所述方法还包括:

沿所述凹陷区内的衬底的表面制作至少一个第二掩膜层，其中，所述第二掩膜层与所述第一掩膜层连接；

所述腐蚀所述第一掩膜层与所述基板层，以获取芯片本体的步骤包括：

腐蚀所述第一掩膜层、第二掩膜层以及所述基板层，以获取芯片本体。

进一步地，在所述沿所述凸台结构的台面上的缓冲层的表面生长基板层的步骤之后，所述方法还包括：

沿所述基板层的表面沉积间隔设置的腐蚀中断层，其中，所述腐蚀中断层与所述第一掩膜层不连接；