[发明专利]存储器设备及其操作方法在审
申请号: | 201911375068.7 | 申请日: | 2019-12-27 |
公开(公告)号: | CN111796764A | 公开(公告)日: | 2020-10-20 |
发明(设计)人: | 李正浩;金暎植;白承柔;柳永光;李永根;李睿娜 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 贾洪菠 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 设备 及其 操作方法 | ||
1.一种存储器设备的操作方法,所述存储器设备包括第一存储器区域和第二存储器区域,所述方法包括:
从第一存储器区域读取第一数据,并将读取的第一数据存储在数据缓冲器块中;
对从数据缓冲器块提供的第一数据和从第二存储器区域读取的第二数据执行第一异或XOR运算,以生成第一结果数据;
将存储在数据缓冲器块中的第一数据写入第二存储器区域;
对第一数据和第一结果数据执行第二XOR运算,以获得生成的第二数据;
将生成的第二数据存储在数据缓冲器块中;和
基于第一结果数据将存储在数据缓冲器块中的生成的第二数据写入第一存储器区域。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,第一存储器区域和第二存储器区域被包括在一个存储体中。
3.根据权利要求2所述的方法,其中:
读取的第一数据和生成的第二数据被存储在数据缓冲器块的第一数据缓冲器中,并且
第一数据缓冲器对应于所述存储体。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,第一存储器区域被包括在第一存储体中,并且第二存储器区域被包括在第二存储体中。
5.根据权利要求4所述的方法,其中:
读取的第一数据被存储在数据缓冲器块的第一数据缓冲器中,并且生成的第二数据被存储在数据缓冲器块的第二数据缓冲器中,并且
第一数据缓冲器对应于第一存储体,并且第二数据缓冲器对应于第二存储体。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,将存储在数据缓冲器块中的第一数据写入第二存储器区域包括:
将存储在第一数据缓冲器中的第一数据传送到第二数据缓冲器;和
将传送到第二数据缓冲器的第一数据写入第二存储器区域。
7.根据权利要求1所述的方法,其中将存储在数据缓冲器块中的第一数据写入第二存储器区域包括:
当第一结果数据指示数据缓冲器块的第一数据与第二存储器区域的第二数据相同时,保持第二存储器区域的第二数据;和
当第一结果数据指示数据缓冲器块的第一数据与第二存储器区域的第二数据不同时,用第一数据替换第二存储器区域的第二数据。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,当从存储在数据缓冲器块中的第一数据中检测到错误时,将经纠错的第一数据写入第二存储器区域。
9.根据权利要求1所述的方法,其中,所述存储器设备是相变随机存取存储器PRAM。
10.一种存储器设备,包括:
存储器单元阵列,包括存储第一数据的第一存储器区域和存储第二数据的第二存储器区域;
读电路,被配置为从第一存储器区域读取第一数据;
数据生成电路,被配置为基于来自第二存储器区域的第二数据来生成与第二数据相同的第三数据;
选择电路,被配置为基于控制信号输出来自读电路的第一数据和来自数据生成电路的第三数据中的一个;
数据缓冲器,被配置为存储从选择电路输出的第一数据或第三数据;和
写电路,被配置为将数据缓冲器块的第一数据写入第二存储器区域并且将数据缓冲器块的第三数据写入第一存储器区域。
11.根据权利要求10所述的存储器设备,其中:
控制信号包括在交换第一数据和第二数据的过程中生成的第一控制信号和第二控制信号,并且
选择电路基于第一控制信号输出第一数据,并且基于第二控制信号输出第三数据。
12.根据权利要求10所述的存储器设备,其中,所述数据生成电路包括:
数据比较写电路,被配置为对第一数据和第二数据执行第一异或XOR运算以输出结果数据;和
XOR门,被配置为对数据比较写电路的结果数据和第一数据执行第二XOR运算,以生成第三数据。
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