[发明专利]一种超薄晶圆加工装置

说明书

本发明提供一种超薄晶圆加工装置，其中所述的磨轮为圆盘状，所述的磨轮放置在晶圆顶部，所述的晶圆底部通过真空吸附在晶圆操作台上；所述的磨轮底部边缘设有卡槽，所述的卡槽内通过卡扣连接有磨片，所述的卡槽顶部设有水槽，且水槽贯穿磨轮顶部，所述的水槽内安装有水管；所述的磨轮中部安装有连接轴，所述的连接轴与电机连接；优点为：本发明降低晶圆边缘的崩坏率，保留晶圆边缘的厚度，降低减薄过程中因边缘过薄造成的崩坏，减少晶圆裂片，提高晶圆的成品率。

技术领域

本发明涉及晶圆加工领域，尤其是涉及一种超薄晶圆加工装置。

背景技术

目前市场上半导体领域晶圆的背面减薄工艺单一，通常减薄后晶圆的厚度在150微米及以上。当减薄后晶圆的厚度在120微米及以下时，由于加工的晶圆太薄，在进行减薄工艺时，晶圆边缘容易崩坏，导致晶圆裂片，造成晶圆成品率偏低。

现有方法通过大尺寸磨轮的高速旋转逐渐的将晶圆片减薄，因为高速的摩擦减薄会产生大量的热，需要在晶圆外通过高压水冲降低磨轮的温度。磨轮的直径会大于晶圆的直径。目前生产线大多采用该种方法对晶圆进行减薄处理。减薄后晶圆的尺寸厚度大于150微米及以上时，晶圆的碎片率不高，但是当减薄后晶圆的尺寸小于120微米时，由于边缘较薄，在高速摩擦中，容易崩坏，导致晶圆的碎片率会比较高，造成晶圆的浪费，增加了成本。

发明内容

本发明的目的在于为解决现有技术的不足，而提供一种超薄晶圆加工装置。

本发明新的技术方案是：一种超薄晶圆加工装置，包括磨轮、水槽、磨片及连接轴，所述的磨轮为圆盘状，所述的磨轮放置在晶圆顶部，所述的晶圆底部通过真空吸附在晶圆操作台上；所述的磨轮底部边缘设有卡槽，所述的卡槽内通过卡扣连接有磨片，所述的卡槽顶部设有水槽，且水槽贯穿磨轮顶部，所述的水槽内安装有水管；所述的磨轮中部安装有连接轴，所述的连接轴与电机连接。

所述的卡槽为8个。

所述的磨片为8个。

所述的磨片为硅、氮化硅或金刚石。

所述的磨轮为硅、氮化硅或金刚石。

所述的磨轮直径小于晶圆直径。

本发明的有益效果为：本发明降低晶圆边缘的崩坏率，保留晶圆边缘的厚度，降低减薄过程中因边缘过薄造成的崩坏，减少晶圆裂片，提高晶圆的成品率。

附图说明

图1为本发明的结构示意图。

其中：1为磨轮、2为水槽、3为磨片、4为连接轴、5为晶圆。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步的说明。

一种超薄晶圆加工装置，包括磨轮1、水槽2、磨片3及连接轴4，所述的磨轮1为圆盘状，所述的磨轮1放置在晶圆5顶部，所述的晶圆5底部通过真空吸附在晶圆操作台上；所述的磨轮1底部边缘设有卡槽，所述的卡槽内通过卡扣连接有磨片3，所述的卡槽顶部设有水槽2，且水槽2贯穿磨轮1顶部，所述的水槽2内安装有水管；所述的磨轮1中部安装有连接轴4，所述的连接轴4与电机连接。

所述的卡槽为8个。

所述的磨片3为8个。

所述的磨片3为硅、氮化硅或金刚石。

所述的磨轮1为硅、氮化硅或金刚石。

所述的磨轮1直径小于晶圆5直径。