[发明专利]一种新型对称结构的吸收型低通滤波器

权利要求书

1.一种新型对称结构的吸收型低通滤波器，其特征在于：包括低通滤波单元、从上至下依次设置的第一介电材料层M1、第二介电材料层M2和第三介电材料层M3；

低通滤波单元的左侧设有输入端口Pin、右侧设有输出端口Pout、前侧设有接地端口P3、后侧设有接地端口P4；

低通滤波单元包括对称型串联谐振单元A1、对称型串联谐振单元A2、对称型并联谐振单元B1、对称型并联谐振单元B2和电阻R，电阻R设在低通滤波单元的中心，电阻R的一端连接输入端口Pin、另一端连接输出端口Pout；

电阻R的后侧从左至右依次设有对称型串联谐振单元A1和对称型串联谐振单元A2，电阻R的前侧从左至右依次设有对称型并联谐振单元B1和对称型并联谐振单元B2；

对称型并联谐振单元B1和对称型并联谐振单元B2均与接地端口P4连接；

低通滤波单元设置在第二介电材料层M2内；

所述电阻R由电阻浆材料设定电阻值。

2.如权利要求1所述的一种新型对称结构的吸收型低通滤波器，其特征在于：所述对称型串联谐振单元A1、对称型串联谐振单元A2、对称型并联谐振单元B1和对称型并联谐振单元B2均设有螺旋结构电感；

所述对称型串联谐振单元A1、对称型串联谐振单元A2、对称型并联谐振单元B1和对称型并联谐振单元B2还均设有双层结构的电容。

3.如权利要求2所述的一种新型对称结构的吸收型低通滤波器，其特征在于：所述第一介电材料层M1和所述第三介电材料层M3均采用低介电常数材料，第二介电材料层M2为高介电常数材料。

4.如权利要求1所述的一种新型对称结构的吸收型低通滤波器，其特征在于：所述输入端口Pin和所述输出端口Pout均采用表面贴装的50欧姆阻抗输出端口。

5.如权利要求2所述的一种新型对称结构的吸收型低通滤波器，其特征在于：所述对称型串联谐振单元A1的电感和所述对称型串联谐振单元A2的电感均在同一层，所述对称型并联谐振单元B1的电感和所述对称型并联谐振单元B2的电感均在同一层。

6.如权利要求1所述的一种新型对称结构的吸收型低通滤波器，其特征在于：还设有接地板GND，所述接地端口P3和所述接地端口P4均与接地板GND连接。