[发明专利]电子给体化合物及其制备方法、发光器件和显示装置

说明书

本发明涉及一种电子给体化合物、发光器件及其制备方法和显示装置。该电子给体化合物，具有如下所示结构的基团：各个R₁独立地选自氢、三甲基硅基、环己基、3‑戊基、4‑(9,9’‑螺二芴)基、2‑(9,9‑二苯基芴)基或四苯基乙烯基；且各个R₁不同时为氢。本发明的电子给体化合物在作为电子给体材料应用于界面异质结激基复合物系统时，使得原来的电子给体与电子受体的接触点被非氢取代基隔离，造成电子、空穴在空间上分离，能够避免或阻碍电子受体层的电子轻易地运动至电子给体层中，从而避免或缓解量子点的带电问题，有助于提高发光器件的效率和寿命。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种电子给体化合物、发光器件及其制备方法和显示装置。

背景技术

有机电致发光二极管(OLED)经过多年的发展，得到了较好的优化，产品得到了市场的验证。但是，基于市场需求，OLED的发光效率和使用寿命还有待提升。

量子点的电致发光二极管(QLED)由于具有独特的光学性质，例如发光波长随尺寸和成分连续可调，发光光谱窄，荧光效率高、稳定性好等，近年来在显示领域得到广泛的关注和研究。

经过多年的研究，QLED的发展形成了两大基本的发光机制：直接的电荷注入以及能量转移。其中，在直接电荷注入的机制下，得益于ZnO电子传输层的引入以及量子点核壳结构的优化，QLED的性能取得了很大的进步，例如：红、绿QLED的最高外量子效率均超过20％，蓝光QLED的最高外量子效率也日益接近20％。但是，该类型QLED存在电子过量问题，以及由此引发的量子点俄歇复合、空穴传输层衰退等不利结果，严重制约着QLED的稳定性和寿命。

因此，利用能量转移原理得到量子点发光日益得到广泛关注，在这种模式下，量子点本身并不带电荷，只是接受主体材料转移来的激子，理论上不存在电荷过量的问题，为提高QLED的稳定性和寿命提供了新的思路。所以，激基复合物系统(由电子给体分子和电子受体分子构组成)在QLED领域广受研究。但是，发明人研究发现，在现有的量子点结合激基复合物的发光器件中，量子点直接掺杂在激基复合物系统中，由于量子点的导带底能级比激基复合物系统中电子受体的LUMO能级大，因此电子极容易被量子点捕获，无法有效形成充足的激基复合物激子，且量子点无法避免带电效应。因此，现有技术中采用激基复合物系统作为主体，量子点作为客体，制备基于能量转移机制的QLED的效率很低。

发明内容

基于此，有必要针对现有的发光器件的效率和寿命有待提升的问题，提供一种电子给体化合物、发光器件及其制备方法和显示装置。

一种电子给体化合物，具有如下所示结构的基团：

各个R₁独立地选自氢、三甲基硅基、环己基、3-戊基、4-(9,9’-螺二芴)基、2-(9,9-二苯基芴)基或四苯基乙烯基；且各个R₁不同时为氢。

基于此，本发明在电子给体化合物的外围位点上引入上述取代基，得到新的电子给体化合物，其取代基具有空间位阻效应，表现为绝缘性，在作为电子给体材料应用于界面异质结激基复合物系统时，使得原来的电子给体与电子受体的接触点被非氢取代基隔离，造成电子、空穴在空间上分离，能够避免或阻碍电子受体层的电子轻易地运动至电子给体层中，从而避免或缓解量子点的带电问题，有助于提高发光器件的效率和寿命。

在其中一个实施例中，所述电子给体化合物的结构通式如式(I)所示：

其中，L为单键或

在其中一个实施例中，所述电子给体化合物的通式如式(Ia)或式(Ib)所示：

在其中一个实施例中，选自如下M1-M12所示化合物中的一种：