[发明专利]晶圆温度控制器及系统、方法和等离子体处理装置在审
申请号: | 201911377075.0 | 申请日: | 2019-12-27 |
公开(公告)号: | CN113053775A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 叶如彬;吴磊;张一川;伊凡·比久科夫 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;H01J37/32 |
代理公司: | 深圳中创智财知识产权代理有限公司 44553 | 代理人: | 文言;娄建平 |
地址: | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 温度 控制器 系统 方法 等离子体 处理 装置 | ||
1.一种晶圆温度控制系统,其特征在于:包括:
基座,用于承载一静电卡盘,所述基座内部设置至少两个可独立控温的第一冷却区域;
静电卡盘,包括用于承载晶圆的承载面,所述承载面上设置至少两个可独立控温的第二气体冷却区域;
所述第一冷却区域和所述第二气体冷却区域在垂直于所述静电卡盘表面的方向上不完全重合。
2.如权利要求1所述的晶圆温度控制系统,其特征在于:所述晶圆温度控制系统在晶圆上形成可独立控温的冷却区域的数量大于所述第一冷却区域与所述第二气体冷却区域的数量之和。
3.如权利要求1所述的晶圆温度控制系统,其特征在于:所述承载面上设置若干隔离带,所述隔离带包括呈周向设置的环形隔离带和/或呈径向设置的条形隔离带。
4.如权利要求1至3任一项所述的晶圆温度控制系统,其特征在于:所述晶圆温度控制系统还包括:
气体供应组件,所述气体供应组件包括:
若干个输气管,用于向各所述第二气体冷却区域输送气体,
若干个压力控制部件,用于调控各所述输气管上输送气体之压力;
测温组件,所述测温组件包括:
若干个测温传感器,对应各所述第二气体冷却区域设置;
控制器,所述控制器与各所述测温传感器和各所述压力控制部件连接。
5.如权利要求4所述的晶圆温度控制系统,其特征在于:所述气体供应组件还包括:
主管道,与各所述输气管连接以用于为各所述输气管供应气体,
若干个第一开关控制阀,设置在各所述输气管上以用于分别控制各所述输气管通断。
6.如权利要求5所述的晶圆温度控制系统,其特征在于:所述气体供应组件还包括:排气管,与各所述输气管连接;
所述排气管包括:
第一分支管,与所述输气管连接,所述第一分支管上设有第二开关控制阀,
第二分支管,与所述第一分支管并联设置,所述第二分支管上设有限流孔。
7.如权利要求6所述的晶圆温度控制系统,其特征在于:所述第一开关控制阀位于所述压力控制部件与所述第二气体冷却区域之间,所述输气管与所述排气管连接的部位位于所述第一开关控制阀与所述压力控制部件之间。
8.如权利要求4所述的晶圆温度控制系统,其特征在于:所述气体供应组件还包括:
第三开关控制阀,设于所述主管道上以用于控制所述主管道通断。
9.如权利要求1所述的晶圆温度控制系统,其特征在于:所述基座内嵌设有冷却管道。
10.一种晶圆温度控制方法,其特征在于,包括如下步骤:获取晶圆多个部位的温度检测信息,其中,至少有两个所述温度检测信息是对应晶圆同一圆环不同角度方位的部位温度检测信息;
分析评估各所述温度检测信息;
依据各所述温度检测信息,发送调节静电卡盘上第二气体冷却腔之气体输入压力的压力调节信息。
11.如权利要求10所述的晶圆温度控制方法,其特征在于,依据各所述温度检测信息,发送调节静电卡盘上第二气体冷却区之气体输入压力的压力调节信息的步骤包括:
依据所述温度检测信息,判断晶圆某一个部位的温度检测信息是否低于或者高于其他部位的温度;
如果是低于晶圆其他部位的温度,则发送的压力调节信息用于控制减小与该晶圆部位对应的第二气体冷却区域的气体输入压力;
如果是高于晶圆其他部位的温度,则发送的压力调节信息为用于控制增大与该晶圆部位对应的第二气体冷却腔的气体输入压力。
12.一种晶圆温度控制器,其特征在于,所述晶圆温度控制器包括:存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的晶圆温度控制程序,所述晶圆温度控制程序被所述处理器执行时实现如权利要求10至11任一项所述的晶圆温度控制方法的步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造