[发明专利]一种基于多层异型阵列孔结构的近-中红外宽带光源

权利要求书

1.一种基于多层异型阵列孔结构的近-中红外宽带光源，其特征在于：所述近-中红外宽带光源包括：

一个近红外半导体激光光源，用于产生激发光；

一个利用掺杂稀土离子的多层异型阵列孔结构氟化物玻璃结构，用于受近红外光源激发产生连续的近-中红外光荧光；

一个2～4μm的宽带滤光片，用于产生对应的连续谱光；

所述掺杂稀土离子的多层异型阵列孔结构氟化物玻璃的制备方法如下：

(1)制备掺杂稀土离子的氟化物玻璃；

(2)将步骤(1)制备的掺杂稀土离子的氟化物玻璃加工成薄片状结构；

(3)多层层状氟化物玻璃经过微加工打孔形成孔阵列，每个孔深控制使得激发光能达到目标号层玻璃片上，封装后得到掺杂稀土离子的多层异型阵列孔结构氟化物玻璃；

所述稀土离子的掺杂浓度为1％～3％；

步骤(2)中由光入到光出方向每层氟化物玻璃片掺入的稀土离子依次是Pr³⁺、Tb³⁺、Ho³⁺与Tm³⁺共掺、Dy³⁺、Tm³⁺。

2.根据权利要求1所述的一种基于多层异型阵列孔结构的近-中红外宽带光源，其特征在于：所述近红外半导体激光光源为808nm商用半导体激光器或者810nm半导体激光器。

3.根据权利要求1所述的一种基于多层异型阵列孔结构的近-中红外宽带光源，其特征在于：所述近-中红外宽带光源是一种周边用环氧粘结+边框压紧封接好的多层氟化物玻璃片的异型阵列孔结构，每层结构为一块掺杂了特定稀土的孔阵列结构的氟化物玻璃片。

4.根据权利要求1所述的一种基于多层异型阵列孔结构的近-中红外宽带光源，其特征在于：步骤(3)中所述多层层状氟化物玻璃为5层，5层氟化物玻璃经过微加工，打孔形成4×4或5×5孔阵列，孔深设计使得正好让入射光无损到达目标号层玻璃上，5层氟化物玻璃可根据实际激发的荧光效率和需要来分配具体孔的数目，最终得到封接到一起的掺杂了稀土离子的多层异型孔阵列结构氟化物玻璃结构。