[发明专利]一种柔性铟镓氮多层结构太阳能光伏器件及其制备方法

权利要求书

1.一种柔性铟镓氮多层结构太阳能光伏器件，其特征在于,包括基带、光吸收层、n型ZnO电子传输层以及p型InN空穴传输层，所述p型InN空穴传输层位于所述光吸收层的正面，所述基带和所述n型ZnO电子传输层位于所述光吸收层的背面，其中，所述光吸收层包括相叠加的p型In_xGa_1-XN层和n型In_yCa_1-yN层，其中0.2＜x＜0.4，y＝0.2＜y＜0.4，其中，所述p型In_xGa_1-XN层和n型In_yCa_1-yN层中掺杂有硅Si和镁Mg。

2.如权利要求1所述的柔性铟镓氮多层结构太阳能光伏器件，其特征在于,所述相叠加的p型In_xGa_1-XN层和n型In_yCa_1-yN层的厚度≥800nm。

3.如权利要求1或2所述的柔性铟镓氮多层结构太阳能光伏器件，其特征在于,所述p型In_xGa_1-XN层和所述n型In_yCa_1-yN层的厚度各为400nm。

4.如权利要求1至3任一项所述的柔性铟镓氮多层结构太阳能光伏器件，其特征在于,所述p型InN空穴传输层的厚度为20nm，空穴浓度4×10¹⁸cm^-3，所述基带的厚度为15μm，所述n-型ZnO层电子传输层的厚度15μm，电子浓度8×10¹⁸cm^-3，。

5.如权利要求1至4任一项所述的柔性铟镓氮多层结构太阳能光伏器件，其特征在于,所述基带位于所述n型ZnO电子传输层和所述光吸收层之间，或者，所述n型ZnO电子传输层位于所述基带和所述光吸收层之间。

6.如权利要求1至5任一项所述的柔性铟镓氮多层结构太阳能光伏器件，其特征在于,还包括位于所述p型InN空穴传输层的正面的防反射层。

7.如权利要求1至6任一项所述的柔性铟镓氮多层结构太阳能光伏器件，其特征在于,所述基带为量子碳基带，优选的，所述基带为石墨烯量子碳化合物半导体。

8.一种制备如权利要求1至7任一项所述的柔性铟镓氮多层结构太阳能光伏器件的方法，其特征在于,包括：

形成量子碳化合物基带；

在量子碳化合物基带的正面生长由p型In_xGa_1-XN层/n型In_yGa_1-yN层叠加形成的光吸收层，其中，在所述p型In_xGa_1-XN层/n型In_yGa_1-yN层掺杂硅Si和镁Mg；

在所述光吸收层的正面生长p型InN空穴传输层；

在所述量子碳化合物基带的背面生长n-型ZnO层电子传输层；

分别生长正面和背面电极；

或者

形成量子碳化合物基带；

在所述量子碳化合物基带的正面生长n型ZnO层电子传输层；

在所述n型ZnO层电子传输层的正面生长由p型In_xGa_1-XN层/n型In_yGa_1-yN层叠加形成的光吸收层，其中，在所述p型In_xGa_1-XN层/n型In_yGa_1-yN层掺杂硅Si和镁Mg；

在所述光吸收层的正面生长p型InN空穴传输层；

分别生长正面和背面电极。