[发明专利]一种介质二次电子发射产额的测量方法

权利要求书

1.一种介质二次电子发射产额的测量方法，其特征在于，包括：

将金属导电栅网覆盖在待测介质的表面；

将入射电子照射到金属导电栅网范围内，测量得到入射电流和样品电流；

根据入射电流和样品电流，解算得到测量得到的总体二次电子产额；

获取金属导电栅网在待测介质的表面上的覆盖比例、金属导电栅网对下层待测介质表面出射电子的遮挡系数，以及金属导电栅网自身的二次电子产额；

根据测量得到的总体二次电子产额、覆盖比例和金属导电栅网自身的二次电子产额，解算得到待测介质表面出射的二次电子产额；

根据解算得到的待测介质表面出射的二次电子产额和遮挡系数，解算得到待测介质的本征二次电子产额；

其中，

将入射电子照射到金属导电栅网范围内，测量得到入射电流和样品电流，包括：采用导电胶带将金属导电栅网与二次电子测试平台样品台导通；将入射电子照射到金属导电栅网范围内，同时在二次电子测试平台样品台上施加一个+500V的偏置电压，获得入射电流I_PE；撤销施加在二次电子测试平台样品台上的+500V的偏置电压，获取样品电流I_S；

通过如下公式解算得到测量得到的总体二次电子产额δ_measurement：

2.根据权利要求1所述的介质二次电子发射产额的测量方法，其特征在于，通过如下公式解算得到待测介质表面出射的二次电子产额δ_sub-out：

其中，δ_net表示金属导电栅网自身的二次电子产额，P表示金属导电栅网在待测介质的表面上的覆盖比例。

3.根据权利要求2所述的介质二次电子发射产额的测量方法，其特征在于，通过如下公式解算得到待测介质的本征二次电子产额SEY_ture：

其中，γ表示金属导电栅网对下层待测介质表面出射电子的遮挡系数。

4.根据权利要求1所述的介质二次电子发射产额的测量方法，其特征在于，还包括：对每一个电子轨迹进行跟踪，采用蒙特卡罗拟方法，记录待测介质表面出射电子的运动轨迹，通过统计的方法获得金属导电栅网的遮挡系数。

5.根据权利要求1所述的介质二次电子发射产额的测量方法，其特征在于，金属导电栅网为：采用金属良导体材料加工得到的网格结构。

6.根据权利要求1所述的介质二次电子发射产额的测量方法，其特征在于，金属导电栅网的宽度为b、厚度为h、网格宽度为a，待测介质的厚度为Hs；

a≤0.5Hs，且a≤200um；

b≤0.2a；

h≤b。

7.根据权利要求6所述的介质二次电子发射产额的测量方法，其特征在于，

金属导电栅网的材料为铜Cu；

待测介质的材料为聚四氟乙烯PTFE；

b＝20um，a＝100um，h＝20um，Hs＝200um。

8.根据权利要求1所述的介质二次电子发射产额的测量方法，其特征在于，金属导电栅网在待测介质表面的覆盖范围大于测量电子束斑范围的400％。