[发明专利]横向双扩散晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种横向双扩散晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底表面依次沉积衬垫氧化层和第一硬掩模，所述衬底形成有彼此隔开的P型阱区和N型阱区；

经由第一硬掩模的开口，在所述衬底中形成N型漂移区，所述N型漂移区与所述P型阱区隔开且与所述N型阱区邻接；

在所述第一硬掩模和所述衬垫氧化层的表面上沉积第二硬掩模；以及

经由第二硬掩模的开口，在所述N型漂移区上方形成场氧化层，

其中，所述第一硬掩模和所述第二硬掩模均为氮化物层，在形成所述第二硬掩模的开口之后，所述漂移区上方的所有氮化物层的厚度小于所述P型阱区上方的所有氮化物层的厚度，以形成从所述P型阱区至所述N型漂移区厚度递减的氮化物层的分布。

2.根据权利要求1所述的横向双扩散晶体管的制造方法，其特征在于，所述第一硬掩模和所述第二硬掩模分别采用以下步骤形成：

形成氮化物层；

在所述氮化物层上形成抗蚀剂掩模；以及

经由所述抗蚀剂掩模蚀刻所述氮化物层以形成开口。

3.根据权利要求2所述的横向双扩散晶体管的制造方法，其特征在于，所述第一硬掩模在形成开口时使用的所述抗蚀剂掩模为N型漂移区掩模，所述第二硬掩模在形成开口时使用的所述抗蚀剂掩模为有源区掩模。

4.根据权利要求1所述的横向双扩散晶体管的制造方法，其特征在于，经由第二硬掩模的开口，在所述N型漂移区上方形成场氧化层，包括以下步骤：

将位于所述N型漂移区上方的部分所述第二硬掩模刻蚀，暴露出所述衬垫氧化层的部分表面；以及

在所述衬垫氧化层的暴露区域生长场氧化层。

5.根据权利要求1所述的横向双扩散晶体管的制造方法，其特征在于，所述P型阱区上方的未被刻蚀掉的所述第二硬掩模覆盖所述第一硬掩模的表面和部分所述衬垫氧化层的表面。

6.根据权利要求1所述的横向双扩散晶体管的制造方法，其特征在于，所述第二硬掩模的厚度小于所述第一硬掩模的厚度。

7.根据权利要求4所述的横向双扩散晶体管的制造方法，其特征在于，所述经由第二硬掩模的开口，在所述N型漂移区上方形成场氧化层之后，还包括以下步骤：

刻蚀去除所述第二硬掩模、所述第一硬掩模和所述衬垫氧化层；

形成与所述场氧化层的鸟嘴区域邻接的栅氧化层；以及

在所述栅氧化层上方沉积场板层后刻蚀形成栅极，再进行源极和漏极注入。

8.根据权利要求7所述的横向双扩散晶体管的制造方法，其特征在于，所述场板层依次覆盖所述栅氧化层和部分所述场氧化层。

9.根据权利要求7所述的横向双扩散晶体管的制造方法，其特征在于，所述场板层包括多晶硅层。

10.根据权利要求1所述的横向双扩散晶体管的制造方法，其特征在于，采用化学气相沉积法生长所述第一硬掩模和所述第二硬掩模。