[发明专利]具阻绝结构的、串接式钙钛矿光电元件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201911378828.X 申请日: 2019-12-27
公开(公告)号: CN113054106A 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 施彦辰;黄琬瑜;柯崇文 申请(专利权)人: 位速科技股份有限公司
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/44;H01L51/00;H01L51/48;H01L25/04;H01L21/60
代理公司: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人: 李林
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 阻绝 结构 串接式钙钛矿 光电 元件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种具阻绝结构的钙钛矿光电元件,其特征在于,该钙钛矿光电元件是在基板上设置有电极层、光电模块以及导电层,其中:

该基板是以透光且绝缘的材质所制成,具有入光面以及出光面;

该电极层具有第一电极与第二电极,该第一电极与第二电极间隔设置于基板的出光面表面;

该光电模块由下载子传输层、上载子传输层、以及位于下载子传输层与上载子传输层之间的钙钛矿主动层所构成,且下载子传输层覆盖于前述电极层的第一电极表面,而上载子传输层于靠近第二电极侧方延伸有遮蔽部,遮蔽部朝向电极层延伸,并覆盖于下载子传输层与钙钛矿主动层侧方;

该导电层覆盖于前述光电模块的上载子传输层表面,导电层于靠近第二电极侧方延伸有导通部,并与电极层的第二电极形成电性连接,且导通部覆盖于光电模块的遮蔽部表面。

2.如权利要求1所述具阻绝结构的钙钛矿光电元件,其特征在于:该光电模块的上载子传输层与导电层之间还设置有阻绝层,阻绝层位于上载子传输层靠近遮蔽部的侧方,且阻绝层一侧延伸有阻绝部,阻绝部位于导通部与遮蔽部之间。

3.一种具阻绝结构的串接式钙钛矿光电元件,其特征在于,该钙钛矿光电元件是在基板上设置有电极层、复数个光电模块以及复数个导电层,其中:

该基板是以透光且绝缘的材质所制成,具有入光面以及出光面;

该电极层具有第一电极与第二电极,该第一电极与第二电极间隔设置于基板的出光面表面;

该光电模块由下载子传输层、上载子传输层、以及位于下载子传输层与上载子传输层之间的钙钛矿主动层所构成,各光电模块的下载子传输层分别位于前述电极层的第一电极与第二电极表面,使两相邻的光电模块之间形成有导通空间,并使第二电极一端延伸有位于导通空间内的导通部,而各光电模块的上载子传输层于靠近导通空间的侧方延伸有遮蔽部,遮蔽部朝向电极层延伸,并覆盖于下载子传输层与钙钛矿主动层侧方;

该导电层分别覆盖于前述光电模块的上载子传输层表面,且位于电极层的第一电极上方的导电层侧方延伸有导通部,导通部位于导通空间内,并与第二电极形成电性连接,且导通部覆盖于第一电极上方的光电模块所设置的遮蔽部表面。

4.如权利要求3所述具阻绝结构的串接式钙钛矿光电元件,其特征在于:该电极层的第一电极上方的光电模块,该上载子传输层与导电层之间还设置有阻绝层,阻绝层位于上载子传输层靠近遮蔽部的侧方,且阻绝层一侧延伸有阻绝部,阻绝部位于导通部与遮蔽部之间。

5.如权利要求3所述具阻绝结构的串接式钙钛矿光电元件,其特征在于:该电极层的第二电极上方的光电模块,该遮蔽部与导通部之间形成有间距。

6.一种具阻绝结构的串接式钙钛矿光电元件的制造方法,其特征在于,该串接式钙钛矿光电元件依照下列步骤制造:

(A)取一以透光且绝缘的材质所制成的基板,于该基板的出光面上设置出电极层,并将电极层图形化,使其形成有间隔的第一电极与第二电极;

(B)于电极层表面,依序设置出下载子传输层与钙钛矿主动层;

(C)对下载子传输层与钙钛矿主动层进行图形化,进而形成有提供第二电极露出下载子传输层与钙钛矿主动层的导通空间;

(D)于钙钛矿主动层表面设置出上载子传输层,且上载子传输层于靠近导通空间的侧方延伸有遮蔽部,遮蔽部位于导通空间内,并覆盖于下载子传输层与钙钛矿主动层侧方;

(D)于上载子传输层表面设置导电层,且导电层侧方延伸有导通部,导通部位于导通空间内并与第二电极形成电性连接;

(E)将位于第二电极上方的导电层图形化,使其形成有断路空间,让第一电极上方的导电层与第二电极电性连接形成串接状。

7.如权利要求6所述具阻绝结构的串接式钙钛矿光电元件的制造方法,其特征在于:该钙钛矿主动层表面设置出上载子传输层以及遮蔽部后,先于上载子传输层靠近遮蔽部的侧方设置阻绝层,以及阻绝层一侧延伸且覆盖遮蔽部的阻绝部,再进行导电层的设置,使导电层覆盖于上载子传输层与阻绝层表面,以及导通部覆盖于阻绝部表面。

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