[发明专利]一种利用碳化硅外延生长设备制备载盘涂层的方法

权利要求书

1.一种利用碳化硅外延生长设备制备载盘涂层的方法，其特征在于，包括步骤：

A.把石墨载盘放入碳化硅外延生长设备的外延生长室；

B.把石墨载盘升温至第一预设温度并保温90min～110min，保持外延生长室压力为第一预设压力，以氢气为载气通入硅源和碳源，使之在石墨载盘上发生化合反应并沉积形成SiC涂层；第一预设温度为1650℃，第一预设压力为150托～250托；

C.保持通入氢气并关闭硅源和碳源，将温度降低至第二预设温度并保温90min～110min，该第二预设温度为600℃～800℃；

D.重复预设次数的步骤B、C；所述预设次数为2次～3次；

E. 完成最后一层SiC层的沉积后，不再加热和通入硅源和碳源，等石墨载盘的温度降至第二预设温度以下时关闭氢气，然后继续降温直到降至室温；

F.取出石墨载盘。

2.根据权利要求1所述的利用碳化硅外延生长设备制备载盘涂层的方法，其特征在于，在步骤A之前还包括步骤：

A1.在石墨载盘上表面开设用于放置衬底片的定位槽。

3.根据权利要求1所述的利用碳化硅外延生长设备制备载盘涂层的方法，其特征在于，所述第一预设压力为200托。

4.根据权利要求1所述的利用碳化硅外延生长设备制备载盘涂层的方法，其特征在于，所述第二预设温度为700℃。

5.根据权利要求1所述的利用碳化硅外延生长设备制备载盘涂层的方法，其特征在于，步骤F前还包括步骤：

F1.把石墨载盘翻转180°，并重复步骤B～E。

6.根据权利要求5所述的利用碳化硅外延生长设备制备载盘涂层的方法，其特征在于，把石墨载盘翻转180°后、重复步骤B～E前，把石墨载盘绕中心轴转动180°。

7.根据权利要求1所述的利用碳化硅外延生长设备制备载盘涂层的方法，其特征在于，步骤F后还包括步骤：

G.将外延生长室重新升温至第三预设温度，保持外延生长室压力为第二预设压力，以氢气为载气通入清洗气体，对生长室进行清洗；第三预设温度为1550℃～1750℃，第二预设压力为150托～250托。

8.根据权利要求7所述的利用碳化硅外延生长设备制备载盘涂层的方法，其特征在于，所述第三预设温度为1650℃，所述第二预设压力为200托，所述清洗气体包括HCl气体。