[发明专利]一种用于碳化硅外延生长设备载盘的涂层制备方法

权利要求书

1.一种用于碳化硅外延生长设备载盘的涂层制备方法，其特征在于，包括步骤：

A.制备SiC凝胶溶胶；

B.把SiC凝胶溶胶装入喷机中预热至150℃～250℃；

C.将SiC凝胶溶胶喷射到石墨载盘所有表面并自然干燥24小时；

D.将石墨载盘装入烧结炉中在1600℃～1800℃、压力550托～650托、氢气环境中烧结2小时，然后自然冷却到室温；

E.将石墨载盘表面的SiC涂层进行整形、打磨；

F.按预设次数重复执行步骤B～E；

每层SiC涂层经整形、打磨后的厚度为10μm～20μm；

步骤F中，所述预设次数为 2次～3次；

步骤C中，把石墨载盘放置在支撑架上，支撑架对石墨载盘下表面三点支撑，喷涂时，石墨载盘先一面朝上进行喷涂，接着自然干固1小时，然后翻转石墨载盘对另一面进行喷涂；

所述支撑架顶部设置有三个木质圆球，这些木质圆球呈等边三角形分布，木质圆球的顶部与石墨载盘下表面相抵；

重复执行步骤B～E的过程中，在各步骤C中，石墨载盘的正反面交替地先朝上；

每次步骤C中，使石墨载盘绕中心转动一角度或使石墨载盘平移一距离。

2.根据权利要求1所述的用于碳化硅外延生长设备载盘的涂层制备方法，其特征在于，所述SiC凝胶溶胶的粒径为10μm～20μm。

3.根据权利要求1所述的用于碳化硅外延生长设备载盘的涂层制备方法，其特征在于，SiC凝胶溶胶在喷机中预热至200℃。

4.根据权利要求1所述的用于碳化硅外延生长设备载盘的涂层制备方法，其特征在于，步骤C中，SiC凝胶溶胶的喷射速度为3m/s。

5.根据权利要求1所述的用于碳化硅外延生长设备载盘的涂层制备方法，其特征在于，步骤D中，烧结温度为1700℃，压力为600托。