[发明专利]包括数位线触点的半导体装置及相关系统和方法有效
申请号: | 201911380166.X | 申请日: | 2019-12-27 |
公开(公告)号: | CN111508958B | 公开(公告)日: | 2023-05-02 |
发明(设计)人: | 小林直义;藤田修;香下胜美 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H10B12/00 | 分类号: | H10B12/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 数位 触点 半导体 装置 相关 系统 方法 | ||
1.一种半导体装置,其包括:
横向相邻字线,所述横向相邻字线上具有相应字线帽盖;
有源区,所述有源区介于所述横向相邻字线与字线帽盖之间;
堆叠材料,所述堆叠材料邻近所述字线帽盖;以及
数位线触点,所述数位线触点介于所述堆叠材料的相对的基本上竖直的表面之间、邻近所述字线帽盖的基本上水平的表面并且介于所述字线帽盖的相对的基本上竖直的表面之间;
其中介于所述相应字线帽盖的所述基本上水平的表面与所述基本上竖直的表面之间并且连接所述相应字线帽盖的所述基本上水平的表面与所述基本上竖直的表面的过渡表面朝中心地延伸穿过所述数位线触点的纵轴突出。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述数位线触点的外围表面在形状上与所述字线帽盖的所述基本上水平的表面、所述字线帽盖的所述相对的基本上竖直的表面以及其间的所述过渡表面互补,使得所述数位线触点的所述外围表面朝所述纵轴内凹。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述数位线触点邻近所述基本上水平的表面、所述基本上竖直的表面以及所述相应字线帽盖的所述过渡表面。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中随着所述数位线触点沿所述纵轴轴向地延伸,所述数位线触点的宽度逐渐变窄。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,其进一步包括数位线,所述数位线邻近所述堆叠材料和所述数位线触点。
6.根据权利要求1所述的半导体装置,其中挡板材料介入所述数位线触点与所述堆叠材料的相应基本上竖直的表面之间。
7.根据权利要求6所述的半导体装置,其中所述数位线触点的基本上水平的表面与所述堆叠材料的所述基本上水平的表面共面。
8.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述堆叠材料包括绝缘材料和半导电材料。
9.根据权利要求8所述的半导体装置,其中所述数位线触点包括在所述绝缘材料的相对的基本上竖直的表面与导电材料的相对的基本上竖直的表面之间延伸的水平细长部分以及在所述字线帽盖的相对的基本上竖直的表面之间延伸的竖直细长部分。
10.一种电子系统,其包括:
输入装置;
输出装置;
处理器装置,所述处理器装置可操作地耦合到所述输入装置和所述输出装置;以及
存储器装置,所述存储器可操作地耦合到所述处理器装置并且包括:
数位线触点,所述数位线触点具有由横向相邻字线帽盖、绝缘材料和半导电材料限定的周界,
其中相应的所述字线帽盖的基本上水平的表面、基本上竖直的表面以及其间的过渡表面限定了所述数位线触点的所述周界的一部分,其中所述字线帽盖的所述过渡表面朝中心地延伸穿过所述数位线触点的纵轴突出。
11.根据权利要求10所述的电子系统,其中:
所述数位线触点包括上部部分和下部部分;
所述数位线触点的所述上部部分在所述字线帽盖的相对的基本上竖直的表面之间;
所述数位线触点的所述下部部分在所述横向相邻字线帽盖的相对的基本上竖直的表面之间延伸;并且
所述上部部分具有比所述下部部分更大的横向尺寸。
12.根据权利要求10所述的电子系统,其中所述存储器装置进一步包括邻近所述数位线触点的数位线。
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