[发明专利]薄膜体声波谐振器在审
| 申请号： | 201911380188.6 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111404509A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 窦韶旭;吴珂;韩琦;王超;庄玉召;程诗阳;张丽蓉;杨帅 | 申请（专利权）人： | 瑞声科技（新加坡）有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/15 | 分类号： | H03H9/15;H03H9/17;H03H9/02;H03H9/13 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 谷孝东 |
| 地址： | 新加坡卡文迪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 声波 谐振器 | ||
1.一种薄膜体声波谐振器，所述薄膜体声波谐振器包括第一电极、位于所述第一电极上方的第二电极及位于所述第一电极与所述第二电极之间的压电薄膜，其特征在于，所述薄膜体声波谐振器还包括设于所述第一电极下方的衬底和声反射结构、设于所述第二电极上方的刻蚀停止层和设于所述刻蚀停止层上方的质量负载层；所述声反射结构、所述第一电极、所述压电薄膜与所述第二电极的投影重叠界定所述薄膜体声波谐振器工作的有效区域；在所述薄膜体声波谐振器的任一剖面，所述质量负载层的内边沿位于所述有效区域的外边沿的内侧。
2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，在所述薄膜体声波谐振器的任一剖面，所述质量负载层的外边沿与所述第二电极的外边沿平齐。
3.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，在所述薄膜体声波谐振器的任一剖面，所述质量负载层的外边沿位于所述第二电极的外边沿的内侧。
4.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，在所述薄膜体声波谐振器的任一剖面，所述质量负载层的外边沿位于所述第二电极的外边沿的外侧。
5.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述薄膜体声波谐振器还包括覆盖于所述质量负载层和所述刻蚀停止层的钝化层。
6.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述衬底的中间部向内设有凹槽，所述凹槽与所述第一电极之间形成空腔，所述空腔构成所述声反射结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞声科技（新加坡）有限公司，未经瑞声科技（新加坡）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911380188.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
