[发明专利]光学邻近修正模型的建立方法以及光学邻近修正方法

说明书

一种光学邻近修正模型的建立方法以及光学邻近修正方法，光学邻近修正模型的建立方法包括：提供晶圆版图图形和初始测试图形；获取晶圆版图图形和初始测试图形的光强参数信息；比较晶圆版图图形和初始测试图形的光强参数信息，并判断初始测试图形的光强参数信息是否涵盖晶圆版图图形的光强参数信息，当涵盖时，将初始测试图形作为测试图形，当未涵盖时，将初始测试图形所缺失的光强参数信息对应的图形作为新增图形，并将新增图形添加至初始测试图形中以获得测试图形；根据测试图形，建立与晶圆版图图形相对应的光学邻近修正模型。本发明所述光学邻近修正模型中的测试图形能够更好地表征晶圆版图图形，从而提高了光学邻近修正的精准度。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光学邻近修正模型的建立方法以及光学邻近修正方法。

背景技术

光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术，光刻技术能够实现将图形从掩膜版中转移到硅片上，形成符合设计要求的半导体产品。

在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，光的衍射效应变得越来越明显，导致最终对设计图形产生光学影像退化，实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变，最终导致在硅片上经过光刻形成的实际图形和设计图形不同，这种现象称为光学邻近效应(Optical Proximity Effect，OPE)。

为了修正光学邻近效应，便产生了光学邻近修正(Optical ProximityCorrection，OPC)。光学邻近修正的核心思想就是基于抵消光学邻近效应的考虑建立光学邻近修正模型，根据光学邻近修正模型设计光掩模图形，这样虽然光刻图形相对应光掩模图形会发生光学邻近效应，但由于在根据光学邻近修正模型设计光掩模图形时已经考虑了对该现象的抵消，因此，光刻后的光刻图形接近于用户实际希望得到的目标图形。

发明内容

本发明实施例解决的问题是提供一种光学邻近修正模型的建立方法以及光学邻近修正方法，提高光学邻近修正的精准度。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种光学邻近修正模型的建立方法，提供晶圆版图图形和初始测试图形；获取所述晶圆版图图形的光强参数信息；获取所述初始测试图形的光强参数信息；比较所述晶圆版图图形的光强参数信息和所述初始测试图形的光强参数信息，并判断所述初始测试图形的光强参数信息是否涵盖所述晶圆版图图形的光强参数信息，其中，当所述初始测试图形的光强参数信息涵盖所述晶圆版图图形的光强参数信息时，将所述初始测试图形作为测试图形，当所述初始测试图形的光强参数信息未涵盖所述晶圆版图图形的光强参数信息时，将所述初始测试图形所缺失的光强参数信息对应的图形作为新增图形，并将所述新增图形添加至所述初始测试图形中以获得测试图形；根据所述测试图形，建立与所述晶圆版图图形相对应的光学邻近修正模型。

可选的，获取所述晶圆版图图形的光强参数信息、以及获取所述初始测试图形的光强参数信息之前，还包括：提供初始光学邻近修正模型；获取所述晶圆版图图形的光强参数信息的步骤包括：利用所述初始光学邻近修正模型，对所述晶圆版图图形进行模拟曝光；对所述晶圆版图图形进行模拟曝光后，绘制所述晶圆版图图形的空间光强分布曲线；从所述晶圆版图图形的空间光强分布曲线中提取所述晶圆版图图形的光强参数信息；获取所述初始测试图形的光强参数信息的步骤包括：利用所述初始光学邻近修正模型，对所述初始测试图形进行模拟曝光；对所述初始测试图形进行模拟曝光后，绘制所述初始测试图形的空间光强分布曲线；从所述初始测试图形的空间光强分布曲线中提取所述初始测试图形的光强参数信息。

可选的，所述空间光强分布曲线为最佳聚焦平面的空间光强分布。

可选的，所述光强参数信息包括多个空间光强参数；比较所述晶圆版图图形的光强参数信息和所述初始测试图形的光强参数信息之前，还包括：选取所述晶圆版图图形中多个空间光强参数中的至少两个，建立第一坐标系；选取所述初始测试图形中多个空间光强参数中的至少两个，建立第二坐标系；利用所述第一坐标系和第二坐标系，比较所述晶圆版图图形的光强参数信息和所述初始测试图形的光强参数信息。