[发明专利]光学模型的优化方法以及光学邻近修正方法

说明书

一种光学模型的优化方法以及光学邻近修正方法，光学模型的优化方法包括：提供光掩膜基板和初始光学模型；确定光掩膜基板中的缺陷的位置和尺寸；获取任一缺陷位置处和正常位置处的光强比，用于作为光强修正因子，光强修正因子与所对应的缺陷的位置和尺寸相关；将光强修正因子添加至初始光学模型中，获得光学模型。本发明的光强修正因子能够表征由缺陷的存在所引起的实际光强的变化，从而使得光学模型的精度更高，光学模型用于建立光学邻近修正模型，因此，能够根据实际光强建立较佳的光学邻近修正模型，以弥补光掩膜基板的缺陷所带来的影响，进而提高光学邻近修正的精准度。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光学模型的优化方法以及光学邻近修正方法。

背景技术

光刻技术是半导体制造技术中至关重要的一项技术，光刻技术能够实现将图形从掩膜版中转移到硅片上，形成符合设计要求的半导体产品。随着半导体技术的飞速发展，光刻所要曝光的关键尺寸(critical dimension，CD)越来越小，要求光刻的分辨率越来越高，而光刻的分辨率主要体现在特征尺寸上，特征尺寸的减小可以由三种途径实现：减小曝光波长、增大数值孔径或减小光刻因子。

为了通过减小曝光波长来获得特征尺寸较小的图形，极紫外(extremeultraviolet，EUV)光刻已作为一种更先进的光刻技术而逐渐被应用于光刻工艺中，相应的，EUV光刻工艺对掩膜版质量的要求也更高。

此外，为了改善由特征尺寸不断缩小所引起的光学邻近效应(optical proximityeffect，OPE)，便产生了光学邻近修正(optical proximity correction，OPC)。OPC模型建立时，通常需要先建立光学模型(optical model)，然后依据光学模型得到实际光阻模型(resist model)。

发明内容

本发明实施例解决的问题是提供一种光学模型的优化方法以及光学邻近修正方法，提高光学邻近修正的精准度。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种光学模型的优化方法，包括：提供光掩膜基板和初始光学模型；确定所述光掩膜基板中的缺陷的位置和尺寸；获取任一所述缺陷位置处和正常位置处的光强比，用于作为光强修正因子，所述光强修正因子与所对应的所述缺陷的位置和尺寸相关；将所述光强修正因子添加至所述初始光学模型中，获得光学模型。

可选的，确定所述光掩膜基板中的缺陷的位置和尺寸之后，获取任一所述缺陷位置处和正常位置处的光强比之前，所述光学模型的优化方法还包括：获取任一所述缺陷位置处的光波与正常位置处的光波的比值，用于作为光强干扰项，所述光强干扰项与所对应的所述缺陷的位置和尺寸相关；获取任一所述缺陷位置处和正常位置处的光强比的步骤中，通过所述光强干扰项获取所述光强比。

可选的，所述提供光掩膜基板的步骤中，所述光掩膜基板具有三维空间坐标系，所述三维空间坐标系包括与所述光掩膜基板的表面相垂直的Z轴；获取任一所述缺陷位置处的光波与正常位置处的光波的比值，用于作为光强干扰项的步骤中，所述光强干扰项与所对应的所述缺陷在所述Z轴的聚焦平面相关，所述聚焦平面与所对应的所述缺陷的位置和尺寸相关。

可选的，所述提供光掩膜基板的步骤中，所述光掩膜基板具有三维空间坐标系，所述三维空间坐标系包括与所述光掩膜基板的表面相垂直的Z轴，还包括相垂直的X轴和Y轴，所述X轴和Y轴均与所述Z轴相垂直；确定所述光掩膜版基板中的缺陷的位置和尺寸的步骤包括：获取所述缺陷在所述X轴和Y轴上的坐标、以及所述缺陷的高度和半高全宽，所述缺陷在所述X轴和Y轴上的坐标用于表征所述缺陷的位置，所述缺陷的高度和半高全宽用于表征所述缺陷的尺寸。

可选的，所述光强干扰项与任一所述缺陷位置处的光波以及正常位置处的光波在所述Z轴的聚焦平面的差值相关。

可选的，利用任一所述缺陷的球形等效体积直径，确定所对应的所述缺陷位置处的光波在所述Z轴的聚焦平面，所述球形等效体积直径用于表征所述缺陷的尺寸。