[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成介电层；

形成贯穿所述介电层的导电通孔；

在所述导电通孔中形成导电插塞；

在所述介电层上形成保护层，所述保护层覆盖所述导电插塞；

在所述保护层和介电层中形成对准沟槽，所述对准沟槽与所述导电插塞相隔离；

形成所述对准沟槽后，去除所述保护层，露出所述导电插塞的顶部；

去除所述保护层后，在所述导电插塞上形成磁性隧道结叠层结构。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成介电层后，在所述介电层中形成导电通孔之前，所述半导体结构的形成方法还包括：在所述介电层上形成刻蚀停止层；

形成所述导电通孔的步骤中，所述导电通孔贯穿所述刻蚀停止层和介电层；

以所述刻蚀停止层的顶面为停止位置，去除保护层；

在形成所述磁性隧道结叠层结构后，所述半导体结构的形成方法还包括：去除所述磁性隧道结叠层结构露出的刻蚀停止层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述导电插塞的步骤包括：形成填充所述导电通孔的导电材料层，所述导电材料层还覆盖所述刻蚀停止层；

以所述刻蚀停止层作为停止层，对所述导电材料层进行平坦化处理，位于所述导电通孔中的剩余导电材料层用于作为所述导电插塞。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护层的工艺包括原子层沉积工艺。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用沉积工艺形成所述保护层，所述沉积工艺的工艺温度为50℃至100℃。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料包括氧化硅、碳化硅或碳氧化硅。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺去除所述保护层。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀溶液为氢氟酸溶液，所述湿法刻蚀工艺的工艺参数包括：氢氟酸溶液的体积百分比浓度为0.3％至0.5％，溶液温度为15℃至25℃，刻蚀时间为50秒至60秒。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述保护层的步骤中，所述保护层与所述导电插塞的刻蚀选择比大于或等于10：1。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护层的步骤中，所述保护层的厚度为至

11.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述保护层的步骤中，所述保护层与刻蚀停止层的刻蚀选择比大于或等于10：1。

12.如权利要求2述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺形成所述刻蚀停止层。

13.如权利要求2述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用沉积工艺形成所述刻蚀停止层，所述沉积工艺的工艺温度为500℃至700℃。

14.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的材料包括氮化硅、氮氧化硅、碳化硅和碳氧化硅中的一种或多种。

15.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述刻蚀停止层的步骤中，所述刻蚀停止层的厚度为至