[发明专利]一种霍尔效应推力器低频振荡抑制外回路有效
| 申请号： | 201911380921.4 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111022276B | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 魏立秋;谷雨;丁永杰;李鸿;王尚民;郭宁;于达仁 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | F03H1/00 | 分类号： | F03H1/00;H03H7/06 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 韩雪梅 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 霍尔 效应 推力 低频 振荡 抑制 回路 | ||
1.一种霍尔效应推力器低频振荡抑制外回路，其特征在于，包括：放电电源、加热电源、点火器、一号电感、二号电感、一号电容和二号电容；
所述放电电源的正极分别连接所述一号电感的一端和所述二号电感的一端；所述一号电感的另一端分别连接所述二号电容的一端和霍尔推力器的阳极；所述二号电感的另一端连接所述一号电容的一端；
所述放电电源的负极分别连接所述加热电源的负极、所述一号电容的另一端、所述二号电容的另一端、所述霍尔推力器阴极的公用负端和所述点火器的负极；所述点火器的正极连接霍尔推力器阴极的触持极；所述加热电源的正极连接所述霍尔推力器阴极的加热端。
2.根据权利要求1所述的霍尔效应推力器低频振荡抑制外回路，其特征在于，所述一号电感感抗为0.01mH；所述二号电感感抗为0.02mH；所述一号电容为10μF；所述二号电容为10μF。
3.根据权利要求1所述的霍尔效应推力器低频振荡抑制外回路，其特征在于，所述一号电感感抗为0.01mH；所述二号电感感抗为0.02mH；所述一号电容为10μF；所述二号电容为15μF。
4.根据权利要求1所述的霍尔效应推力器低频振荡抑制外回路，其特征在于，所述一号电感感抗为0.015mH；所述二号电感感抗为0.02mH；所述一号电容为10μF；所述二号电容为10μF。
5.根据权利要求1所述的霍尔效应推力器低频振荡抑制外回路，其特征在于，所述一号电感、所述二号电感、所述一号电容和所述二号电容构成一级π型滤波器。
6.根据权利要求1所述的霍尔效应推力器低频振荡抑制外回路，其特征在于，所述一号电感和所述二号电感的最大可通过电流大于所述霍尔效应推力器放电电流的2倍。
7.根据权利要求1所述的霍尔效应推力器低频振荡抑制外回路，其特征在于，所述一号电容和所述二号电容的耐压大于所述霍尔效应推力器放电电压的2倍。
8.根据权利要求1所述的霍尔效应推力器低频振荡抑制外回路，其特征在于，所述一号电感和所述二号电感耦合。
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