[发明专利]一种半导体晶体生长装置在审
| 申请号： | 201911381171.2 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN113046833A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 邓先亮;沈伟民;王刚;费璐;刘大海 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B30/04 | 分类号： | C30B30/04;C30B29/06;C30B15/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 晶体生长 装置 | ||
1.一种半导体晶体生长装置，其特征在于，包括：
坩埚，用以容纳硅熔体；和
水平磁场施加装置，用以产生水平磁场；其中，所述水平磁场施加装置包括位于所述坩埚的相对的两侧的至少两个单线圈超导磁体，每一个所述单线圈超导磁体包括沿着所述水平磁场的方向绕制的线圈，以使所述单线圈超导磁体产生串联的所述水平磁场水平穿过所述坩埚内的硅熔体。
2.根据权利要求1所述的半导体晶体生长装置，其特征在于，所述单线圈超导磁体包括包围所述线圈的壳体，所述壳体设置为磁屏蔽材料。
3.根据权利要求2所述的半导体晶体生长装置，其特征在于，所述壳体设置为磁性材料。
4.根据权利要求1所述的半导体晶体生长装置，其特征在于，包括：
N个沿着同一方向并列设置所述坩埚；和
N+1个沿同一方向并列设置的所述单线圈超导磁体；其中，
相邻两个所述单线圈超导磁体的中间设置有一个所述坩埚，其中N≥2。
5.根据权利要求4所述的半导体晶体生长装置，其特征在于，
第1个所述单线圈超导磁体的与第1个所述坩埚相对的另一侧设置有磁场屏蔽装置；
第N+1个所述单线圈超导磁体的与第N个所述坩埚相对的另一侧设置有磁场屏蔽装置。
6.根据权利要求4所述的半导体晶体生长装置，其特征在于，包括3个所述坩埚和4个所述单线圈超导磁体。
7.根据权利要求1所述的半导体晶体生长装置，其特征在于，所述线圈包括超导线圈。
8.根据权利要求1所述的半导体晶体生长装置，其特征在于，所述坩埚设置在炉体内，所述单线圈超导磁体设置在所述炉体相对的两侧从而设置在所述坩埚的相对的两侧。
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