[发明专利]一种半导体型MoS2 在审
| 申请号： | 201911381364.8 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111146006A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 成家洪;王玮;许鹏;刘天宇;孙潇楠;张金涛;苏扬;柏寄荣 | 申请（专利权）人： | 常州工学院 |
| 主分类号： | H01G9/20 | 分类号： | H01G9/20;H01G9/042 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 杨静文 |
| 地址： | 213032 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 mos base sub | ||
1.一种半导体型MoS2量子点修饰的TiO2纳米棒阵列复合材料的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：
(1)以半导体型MoS2粉体为原料、玻璃为衬底，制备半导体型MoS2电极；
(2)配制十六烷基溴化铵的乙腈溶液；
(3)以半导体型MoS2电极为阴极，以十六烷基溴化铵的乙腈溶液为电解液，以碳棒电极为阳极，组装电化学反应装置；
(4)对电化学反应装置通电，进行电化学反应；
(5)电化学反应后，将阴极上的半导体型MoS2移入有机溶剂中，得到混合液；
(6)将混合液超声处理，然后离心分离，取分离后的上清液，得到半导体型MoS2量子点的有机溶液；
(7)将TiO2纳米棒阵列样品置于半导体型MoS2量子点的有机溶液中并超声处理，取出样品后,进行升温热处理，即得到半导体型MoS2量子点修饰的TiO2纳米棒阵列复合材料。
2.根据权利要求1所述的一种半导体型MoS2量子点修饰的TiO2纳米棒阵列复合材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述制备半导体型MoS2电极，包括如下步骤：①常温下将半导体型MoS2粉体，置于有机溶剂中搅拌，制得半导体型MoS2的有机悬浮液；②将半导体型MoS2的有机悬浮液涂于玻璃衬底上，干燥，制得半导体型MoS2电极。
3.根据权利要求2所述的一种半导体型MoS2量子点修饰的TiO2纳米棒阵列复合材料的制备方法，其特征在于，所述半导体型MoS2电极的制备步骤，步骤①中所述有机溶剂为乙醇、甲醇、N-甲基吡咯烷酮中任一种,所述半导体型MoS2的有机悬浮液的浓度为1-20mg/ml；步骤②中所述干燥温度为60-90℃，干燥时间为30-60分钟，所述玻璃衬底尺寸为0.1-1cm2。
4.根据权利要求1所述的一种半导体型MoS2量子点修饰的TiO2纳米棒阵列复合材料的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述十六烷基溴化铵的乙腈溶液的浓度为5-15mg/ml。
5.根据权利要求1所述的一种半导体型MoS2量子点修饰的TiO2纳米棒阵列复合材料的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述半导体型MoS2电极与所述碳棒电极间距离为0.5-1.5cm。
6.根据权利要求1所述的一种半导体型MoS2量子点修饰的TiO2纳米棒阵列复合材料的制备方法，其特征在于，步骤(4)中所述电化学反应的电压为5V-12V，所述电化学反应的时间为60-150分钟。
7.根据权利要求1所述的一种半导体型MoS2量子点修饰的TiO2纳米棒阵列复合材料的制备方法，其特征在于，步骤(5)中所述有机溶剂以为N,N-二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮中任一种。
8.根据权利要求1所述的一种半导体型MoS2量子点修饰的TiO2纳米棒阵列复合材料的制备方法，其特征在于，步骤(6)中所述超声处理时间为20-80分钟，所述离心分离时间为10-30分钟，且离心机的转速为8000-10000rpm。
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