[发明专利]一种真空灭弧室触头材料表面镀层及其处理方法

权利要求书

1.一种真空灭弧室触头材料表面镀层处理方法，其特征在于，该方法采用金属铜铬钼靶材在CuCr合金触头材料基底上形成CuCrMo合金膜，其中按质量百分数，CuCrMo合金膜中Cr含量25％～55％，Mo含量5％～9％，其余为Cu，具体包括以下步骤：

步骤1：对CuCr合金触头材料基底进行打磨和抛光处理；

步骤2：将打磨和抛光处理后的CuCr合金触头材料基底进行清洗、吹干；

步骤3：在清洗、吹干后的CuCr合金触头材料基底表面采用磁控溅射的方法镀覆CuCrMo合金膜，最终获得生长有CuCrMo合金膜的CuCr合金触头材料基片。

2.根据权利要求1所述的一种真空灭弧室触头材料表面镀层处理方法，其特征在于，在步骤2中，将打磨和抛光处理后的CuCr合金触头材料使用无水乙醇和去离子水进行超声清洗10～15min，之后用纯度为99.99％的高纯氮气吹干。

3.根据权利要求1所述的一种真空灭弧室触头材料表面镀层处理方法，其特征在于，在步骤3中，同时采用直流磁控溅射方法溅射Cu靶材，溅射功率60～100W，采用直流磁控溅射方法溅射Cr靶材，溅射功率80～150W，以及采用射频磁控溅射方法溅射Mo靶材，溅射功率100～170W。

4.根据权利要求1所述的一种真空灭弧室触头材料表面镀层处理方法，其特征在于，在步骤3中，进行磁控溅射的溅射气压在0.3Pa～0.7Pa之间。

5.根据权利要求1所述的一种真空灭弧室触头材料表面镀层处理方法，其特征在于，在步骤3中，将靶材放置在旋转基片架上，使靶材均匀旋转防止靶材受损，其中旋转速度ω在9r/min～11r/min范围内，合金膜的镀覆厚度通过调整靶材挡板的开关时间来控制；具体步骤为，同时打开Cu靶、Cr靶和Mo靶前方的挡板，采用等离子体轰击靶材并沉积在基体上，形成1μm～20μm的沉积层。

6.一种真空灭弧室触头材料表面镀层，其特征在于，采用权利要求1至5中任一项所述的一种真空灭弧室触头材料表面镀层处理方法的制备得到，该镀层的厚度为1μm～20μm。