[发明专利]一种硫银锗矿掺杂钙钛矿型固体电解质及其制备方法

权利要求书

1.一种硫银锗矿掺杂钙钛矿型固体电解质材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）按照化学式Li_0.33La_0.57(Ti_1-x，Ag₉GeSe_6-x-y Te_y)O₃，0≤x≤0.1，0≤y≤0.75且x，y不同时为0，按比例分别称取一水合氢氧化锂、氧化镧、二氧化钛，Ag单质、Ge单质、Se单质、Te单质，作为配料；

（2）将所述配料混合后进行球磨，其中，将所述配料放入球磨罐中，加入无水乙醇，使用行星球磨仪球磨6-12小时；

（3）对球磨得到的粉料进行预烧，获得具有晶体结构的前驱体，其中，将球磨得到的粉料烘干后装入刚玉坩埚中，并将其放入马弗炉中在1100℃下烧结6-12小时，获得所述前驱体；

（4）对预烧所得的前驱体进行第二次球磨，获得细小颗粒，并对颗粒压合成片，其中，进行球磨时加入质量比6%的聚乙烯醇；

（5）对压片进行排胶处理，排胶处理时，将压片缓慢升温至850℃，保温2-4小时后自然冷却至室温；

（6）对排胶后的压片进行烧结，得到所述硫银锗矿掺杂钙钛矿型固体电解质材料，从而实现电导率达到1.29×10^-4S/cm的固态电解质材料；对排胶后的压片进行烧结的温度范围为1000-1500℃，烧结时间6-12小时；烧结完成后自然冷却至室温。

2.根据权利要求 1所述的制备方法，其特征在于，所述一水合氢氧化锂其纯度为95%，步骤（1）中，一水合氢氧化锂过量称取10%的比例，以补偿高温烧结过程中Li元素的耗损。

3.根据权利要求 1或2所述的制备方法，其特征在于，所述氧化镧的纯度为99.95%。

4.根据权利要求 1至2任一项所述的制备方法，其特征在于，所述二氧化钛的纯度为99%。

5.一种硫银锗矿掺杂钙钛矿型固体电解质材料，其特征在于，为根据权利要求 1至4任一项所述的制备方法制备的固体电解质材料。