[发明专利]一种压接式IGBT模块及功率半导体器件

权利要求书

1.一种压接式IGBT模块，其特征在于，包括多个能够相对于管壳上下移动的子模组，所述子模组包括：

导电基板和导电盖板，其能够容置在所述管壳中或者分别延伸出所述管壳的下表面和上表面；

多个芯片，其并排间隔设置在所述导电基板上；

承压件，其能够容置在所述管壳中或者延伸出所述管壳的下表面；

旁路母排，其设置在所述芯片的上方，且其上部抵接在所述承压件的上表面；

弹性件，其设置在所述旁路母排和所述导电盖板之间；

当压装力不大于所述弹性件的弹力时，所述导电盖板延伸出所述管壳的上表面，所述导电基板和所述承压件均延伸出所述管壳的下表面，且所述导电基板的下表面和所述承压件的下表面齐平，

当压装力大于所述弹性件的弹力时，所述导电基板的下表面和所述承压件的下表面与所述管壳的下表面齐平，所述导电盖板的上表面与所述管壳的上表面齐平。

2.根据权利要求1所述的压接式IGBT模块，其特征在于，所述子模组还包括缓冲块，所述管壳包括模块外框和模块盖板，所述缓冲块设置在所述模块盖板和所述承压件之间，当所述承压件相对于所述管壳向上移动时，所述缓冲块用于对所述承压件进行缓冲。

3.根据权利要求1所述的压接式IGBT模块，其特征在于，所述子模组还包括设置在所述芯片和所述旁路母排之间的导电缓冲垫块，所述导电缓冲垫块用于保证所述芯片和所述旁路母排之间导电的可靠性。

4.根据权利要求3所述的压接式IGBT模块，其特征在于，所述导电缓冲垫块的膨胀系数和所述导电基板的热膨胀系数与所述芯片的热膨胀系数相匹配，以避免在其相接触的表面产生缺陷。

5.根据权利要求4所述的压接式IGBT模块，其特征在于，所述芯片与所述导电基板之间以及所述芯片与所述导电缓冲垫块之间通过焊接或者银烧结的方式连接。

6.根据权利要求5所述的压接式IGBT模块，其特征在于，所述导电缓冲垫和所述导电基板均采用钼或者钼-铜合金制成。

7.根据权利要求1-6任一项所述的压接式IGBT模块，其特征在于，所述子模组还包括门极输出探针，其用于将多个所述芯片的门极信号并联输出。

8.根据权利要求3-6任一项所述的压接式IGBT模块，其特征在于，所述子模组还包括侧框，所述侧框的底面与所述导电基板上表面的边缘密封连接，以形成下部密封、上部敞开的腔体，所述腔体内灌封硅胶，以使所述导电基板和所述导电缓冲垫块之间具有一绝缘距离。

9.根据权利要求1-6任一项所述的压接式IGBT模块，其特征在于，所述子模组还包括承压垫块，其设置在所述旁路母排与所述弹性件之间，用于缓冲所述旁路母排与所述弹性件之间的压力传递，以使所述芯片之间的接触压强一致。

10.根据权利要求1-6任一项所述的压接式IGBT模块，其特征在于，所述承压件的外壁面构造有第一台阶，所述管壳的内壁面构造有与所述第一台阶配合的第二台阶，以限制所述承压件向下移动的行程。

11.一种功率半导体器件，其特征在于，包括根据权利要求1-10任一项所述的压接式IGBT模块。