[发明专利]一种砷化镓基发光二极管粗化后取管芯的方法

权利要求书

1.一种砷化镓基发光二极管粗化后取管芯的方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)晶片制作，切割得到管芯，管芯P面黏贴黏性膜；

2)取步骤1)处理后的管芯，粗化处理；

a)取步骤1)处理后的管芯，加热，置于恒温粗化液中进行粗化；

b)取步骤a)粗化后的管芯，冲洗粗化液，干燥；

3)取步骤2)粗化后的管芯，去除管芯表面的粗化残留物；

a)取步骤2)干燥后的管芯，在管芯N面涂覆一层光刻胶，烘烤固化；

b)取步骤a)中烘烤后的管芯，无水乙醇溶解去除掉光刻胶,清洗，干燥；

4)倒膜，结束操作；

a)取步骤3)中处理后的管芯，管芯N面贴蓝膜，倒膜，此时管芯P面朝上，完成倒膜。

2.根据权利要求1所述的一种砷化镓基发光二极管粗化后取管芯的方法，其特征在于：所述晶片自下而上包括N面电极层、GaAs衬底、N型GaAs欧姆接触层、N型限制层、MQW量子阱有源层、P型限制层、P型GaAs欧姆接触层、电流扩展层、P面电极层。

3.根据权利要求2所述的一种砷化镓基发光二极管粗化后取管芯的方法，其特征在于：所述N面电极层制作材料为Au、Ni、Ge、Pt、AuBe中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的一种砷化镓基发光二极管粗化后取管芯的方法，其特征在于：步骤2)的a)步骤，加热方法为平板加热，加热温度为50-90℃，加热时间为3-10min。

5.根据权利要求1所述的一种砷化镓基发光二极管粗化后取管芯的方法，其特征在于：步骤3)的a)步骤中，光刻胶的厚度为2-4μm。

6.根据权利要求1所述的一种砷化镓基发光二极管粗化后取管芯的方法，其特征在于：步骤3)的a)步骤中，烘烤温度为70-90℃，烘烤时间为5-10min。

7.根据权利要求1所述的一种砷化镓基发光二极管粗化后取管芯的方法，其特征在于：步骤2)的b)步骤中，粗化液为碘、醋酸、硝酸、磷酸的混合物，其中所述碘、醋酸、硝酸、磷酸的质量比为1：100：20：30。