[发明专利]一种增益峰可调的锗硅光电探测器

权利要求书

1.一种增益峰可调的锗硅光电探测器，所述锗硅光电探测器自下而上包括硅衬底层，埋氧层，硅波导层和锗有源层和绝缘覆盖层，其特征在于，所述锗硅光电探测器还包括布置在所述锗有源层上的可调的带宽增益组件，其中，所述可调的带宽增益组件包括间隔预定距离的石墨烯信号导线和控制电极，并且所述控制电极配置为对所述石墨烯信号导线施加可变电压，以实现增益峰值的调节。

2.根据权利要求1所述的锗硅光电探测器，其中，所述石墨烯信号导线与所述锗有源层直接接触。

3.根据权利要求1所述的锗硅光电探测器，其中，所述石墨烯信号导线具有折返的U形形状或回形形状。

4.根据权利要求1所述的锗硅光电探测器，其中，所述墨烯信号导线可以使用转移的方法与锗硅光电探测器集成。

5.根据权利要求1所述的锗硅光电探测器，其中，所述控制电极位于所述石墨烯信号导线正上方，并且与所述石墨烯信号导线具有相同的走向。

6.根据权利要求1所述的锗硅光电探测器，其中，所述硅波导层具有模斑转换结构。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的锗硅光电探测器，其中所述锗硅光电探测器还包括位于最外层的保护层。