[发明专利]一种低功耗带隙基准源电路

权利要求书

1.一种低功耗带隙基准源电路，其特征在于，包括：

启动电路，偏置电路，正温度系数电压产生电路，负温度系数电压产生电路以及输出电路；

其中，启动电路连接偏置电路，用以给偏置电路提供一启动电压；偏置电路连接正温度系数电压产生电路以及负温度系数电压产生电路，用来根据启动电压向正温度系数电压产生电路以及负温度系数电压产生电路提供偏置电流；

所述正温度系数电压产生电路与偏置电路相连，用于在偏置电路提供的偏置电流下产生正温度系数电压；

负温度系数电压产生电路与偏置电路相连，用于在偏置电路提供的偏置电流下产生负温度系数电压；

输出电路连接正温度系数电压产生电路以及负温度系数电压产生电路，用于将正温度系数电压与负温度系数电压相加，从而产生零温度系数电压，实现带隙基准源电路的稳定输出；

其中，正温度系数电压产生电路包括：晶体管MN6、MN7、MN8、MN9；其中，晶体管MN6的漏极连接其栅极并连接晶体管MP8的漏极以及晶体管MN7的栅极，晶体管MN6的源极连接晶体管MN7的漏极，晶体管MN7的源极接地。晶体管MN8的栅极连接晶体管MN9的栅极、晶体管MN8的漏极以及晶体管MP9的漏极，晶体管MN8的源极连接晶体管MN9的漏极，并作为正温度系数电压产生电路的输出端，晶体管MN9的源极连接晶体管MN7的漏极；

负温度系数电压产生电路包括：晶体管MN12、MN13、MN14、MN15，其中晶体管MN14漏极连接其栅极并连接晶体管MP11的漏极以及晶体管MN15的栅极，晶体管MN14的源极连接晶体管MN15的漏极，晶体管MN15的源极接地，以及晶体管MN12的栅极连接晶体管MN13的栅极、晶体管MN12的漏极以及晶体管MP10的漏极，晶体管MN12的源极连接晶体管MN13的漏极，并作为负温度系数电压产生电路的输出端，晶体管MN13的源极连接晶体管MN15的漏极；

该输出电路包括：晶体管MN10、MN11；其中晶体管MN10、MN11工作在截止区域，采用其截止区域的内部电容特性构成输出电路；晶体管MN10的漏极连接正温度系数电压产生电路的输出，晶体管MN10的源极连接晶体管MN11的漏极，晶体管MN11的源极连接负温度系数电压产生电路的输出，晶体管MN10、MN11的栅极接地，晶体管MN10、MN11的衬底相连并连接晶体管MN10的源极，并作为带隙基准源电路的输出端。

2.根据权利要求1所述的一种低功耗带隙基准源电路，其特征在于，启动电路包括：晶体管MP1、MP2、MP3、MP4、MP5、MN1、MN2；晶体管MP1、MP2的源极连接电源电压Vdd，晶体管MP1的栅极连接偏置电路中MP6的栅极，晶体管MP1的漏极连接晶体管MP5、MP4、MN2的栅极以及晶体管MP5的源极，晶体管MP5的漏极以及晶体管MN2的源极接地；晶体管MN2的漏极连接晶体管MP4的漏极，晶体管MP4的源极连接晶体管MP3的漏极和栅极，晶体管MP3的源极连接晶体管MN1、MP2的栅极以及晶体管MP2的漏极，晶体管MN1的源极连接偏置电路中MN5的栅极，晶体管MN1的漏极连接偏置电路中MP6的漏极。

3.根据权利要求2所述的一种低功耗带隙基准源电路，其特征在于，偏置电路包括：晶体管MP6、MP7、MP8、MP9、MP10、MP11、MN3、MN4、MN5；晶体管MP6、MP7、MP8、MP9、MP10、MP11的源极连接电源电压Vdd，晶体管MP6的栅极连接晶体管MP7、MP1的栅极以及晶体管MP6的漏极，晶体管MP6的漏极连接晶体管MN3、MN1的漏极，晶体管MN3、MN4的源极接地，晶体管MN4的漏极连接晶体管MN3的栅极以及晶体管MN5的源极，晶体管MN4的栅极连接晶体管MN5的漏极以及晶体管MP7的漏极，晶体管MN5的栅极连接晶体管MN1的源极；晶体管MP8、MP9、MP10、MP11的栅极相连并连接晶体管MP1的栅极。晶体管MP8、MP9、MP10、MP11的漏极用于向正温度系数电压产生电路、负温度系数电压产生电路提供偏置电流。