[发明专利]一种光刻曝光方法、装置和光刻系统

权利要求书

1.一种光刻曝光方法，其特征在于，包括：

获取衬底上所有集成电路单元中所有对位标记的预设标记位置和实际标记位置，所述集成电路单元阵列排布在所述衬底上；

按照预设的多种固定分组类型，分别对所述衬底上阵列排布的多个所述集成电路单元进行划分；其中，每种固定分组类型下，所有的集成电路单元形成相同的多个集成电路单元组合，每个集成电路单元组合中包括至少一个所述集成电路单元；

计算各种固定分组类型在最佳的掩模曝光调整参数下的集成电路单元组合的合格率；其中，各所述集成电路单元按照所述掩模曝光调整参数曝光后，所有对位标记的实际标记位置与对应的预设标记位置的总偏差最小；

按照预设评价函数，确定最优的固定分组类型；其中，所述预设评价函数的评价因子包括集成电路单元组合的合格率和对应的集成电路组合中的集成电路单元数量；

根据最优的固定分组类型以及各集成电路单元对应的最佳的掩模曝光调整参数，生成控制信号以控制光刻机对所述衬底上的所述集成电路单元进行曝光。

2.根据权利要求1所述的光刻曝光方法，其特征在于，计算各种固定分组类型在最佳的掩模曝光调整参数下的集成电路单元组合的合格率，包括：

计算各种固定分组类型下各集成电路单元组合的最佳的掩模曝光调整参数，以使各所述集成电路单元按照所述掩模曝光调整参数曝光后，所有对位标记的实际标记位置与对应的预设标记位置的总偏差最小；其中，所述掩模曝光调整参数包括运动台位移量、运动台旋转量和曝光放大倍率；

计算各所述集成电路单元按照所述掩模曝光调整参数曝光后，各集成电路单元组合中，各对位标记的实际标记位置与对应的预设标记位置的偏差值；

根据各所述偏差值，计算各种固定分组类型下集成电路单元组合的合格率。

3.根据权利要求2所述的光刻曝光方法，其特征在于，计算各种固定分组类型下各集成电路单元组合的最佳的掩模曝光调整参数，包括：

在所述衬底上建立坐标系，记录各所述集成电路单元中，各对位标记的预设标记位置为(x_{nom_i},y_{nom_i})，各对位标记的实际标记位置为(x_i,y_i)，其中i＝1，……，n，n为集成电路单元中对位标记的数量；

根据各所述集成电路单元中所有对位标记的预设标记位置和实际标记位置，计算各种固定分组类型下，各集成电路单元组合对位标记的偏差量

按照掩模曝光调整公式以最小二乘法计算每一种固定分组类型下，各集成电路单元组合最小补偿偏差量的掩模曝光调整参数(M，R，Tx，Ty)，其中，M为光刻机投影物镜的放大倍率，R为集成电路单元相对于运动台的旋转量，Tx为集成电路单元相对于运动台沿X方向的位移量，Ty为集成电路单元相对于运动台沿Y方向的位移量。

4.根据权利要求2所述的光刻曝光方法，其特征在于，根据各所述偏差值，计算各种固定分组类型下所述集成电路单元组合的合格率，包括：

将各所述集成电路单元组合中，各对位标记中最大的偏差值的绝对值与预设偏差阈值进行对比；

将各对位标记中最大的偏差值不超过预设偏差阈值对应的集成电路单元组合记为合格；

统计各种固定分组类型下，集成电路单元组合的合格率。

5.根据权利要求1所述的光刻曝光方法，其特征在于，所述预设评价函数g(x，y)＝Ax+By，其中，x为合格集成电路单元组合的比例，y为集成电路组合中的集成电路单元数量，A为合格集成电路单元组合比例的因子系数，B为集成电路组合中的集成电路单元数量的因子系数。

6.根据权利要求1所述的光刻曝光方法，其特征在于，根据最优的固定分组类型以及各集成电路单元对应的最佳的掩模曝光调整参数，生成控制信号以控制光刻机对所述衬底上的所述集成电路单元进行曝光，包括：

根据最优的固定分组类型以及各集成电路单元对应的最佳的掩模曝光调整参数，生成掩模版信息、掩模位置信息和掩模开口信息，同时生成运动台运动路径控制信息；

根据掩模版信息、掩模位置信息和掩模开口信息以及运动台运动路径控制信息，控制所述光刻机对所述衬底上的所述集成电路单元进行自动曝光。