[发明专利]新型K-Ras G12C抑制剂

权利要求书

1.一种结构如通式(1)所示的化合物或其各光学异构体、各晶型、药学上可接受的盐、水合物或溶剂合物：

式(1)中：

Y为化学键或C1-C6亚烷基；

R¹为芳基或杂芳基，所述芳基或杂芳基可被1-3个下述基团所取代：卤素、羟基、氨基、C1-C3烷基、C2-C4烯基、C3-C6环烷基、C1-C3烷氧基、卤素取代C1-C3烷基或卤素取代C1-C3烷氧基，当被多个取代基取代时，所述取代基可以相同或不同；

R²为胺基烷基、环烷基、杂环烷基、芳基或杂芳基，所述杂环烷基、芳基或杂芳基均可被1-3个下述基团所取代：H、卤素、CN、OH、C1-C3烷基、C1-C3烷氧基、C3-C6环烷基、-(C1-C3烷基)-氰基、-(C1-C3烷基)-(C1-C3烷氧基)、-(C1-C3烷基)-(C3-C6环烷基)、氘代C1-C3烷基、卤素取代C1-C3烷基或卤素取代C1-C3烷氧基，当被多个取代基取代时，所述取代基可以相同或不同。

Q为

其中，R³和R⁴独立为H、D、卤素或C1-C3烷基；

为至少有一个N原子的4-7元饱和杂环烷基、部分饱和的杂环烷基或杂芳基，所述饱和杂环烷基、部分饱和的杂环烷基或杂芳基可被1-3个下述基团所取代：H、D、卤素、CN、NMe₂、NEt₂、SMe、C1-C3烷基、C3-C6环烷基、-C(O)O-(C1-C3烷基)、-C(O)NH-(C1-C3烷基)、-C(O)NMe₂、-C(O)NEt₂、-(C1-C3烷基)-NMe₂、-(C1-C3烷基)-NEt₂、卤素取代C1-C3烷基或氰基取代C1-C3烷基，当被多个取代基取代时，所述取代基可以相同或不同；

R⁵为C3-C6环烷基、-(C1-C3烷基)-氰基、-(C1-C3烷基)-羟基、-(C1-C3烷基)-(C3-C6环烷基)、-(C1-C3烷基)-(C1-C3烷氧基)、-(C1-C3烷基)-(卤素取代C1-C3烷氧基)、杂环烷基、部分饱和的杂环烷基、杂芳基、-(C1-C3烷基)-杂环烷基、-(C1-C3烷基)-杂芳基或-(C1-C3烷基)-NR⁶R⁷，所述杂环烷基、部分饱和的杂环烷基、杂芳基、-(C1-C3烷基)-杂环烷基或-(C1-C3烷基)-杂芳基可被1-3个下述基团所取代：卤素、OH、CN、NMe₂、NEt₂、-C(O)O-(C1-C3烷基)、-C(O)NH-(C1-C3烷基)、-C(O)NMe₂、-C(O)NEt₂、C1-C3烷基、C3-C6环烷基、卤素取代C1-C3烷基或氰基取代C1-C3烷基，当被多个取代基取代时，所述取代基可以相同或不同，其中R⁶和R⁷独立为H、C1-C3烷基、C3-C6环烷基、或卤素取代C1-C3烷基。

2.如权利要求1所述的化合物，其中所述通式(1)中，Y为化学键、-CH₂-、-CH(Me)-或-CH₂CH₂-。

3.如权利要求1-2所述的化合物，其中所述通式(1)中，R¹为：其中R^a和R^b独立地为H、卤素、羟基、氨基、C1-C3烷基、C2-C4烯基、C3-C6环烷基、C1-C3烷氧基、卤素取代C1-C3烷基或卤素取代C1-C3烷氧基。