[发明专利]一种电抗匹配式与分布式相融合的超宽带功率芯片电路在审
| 申请号： | 201911387070.6 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111082759A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 陶洪琪;韩程浩 | 申请（专利权）人： | 中电国基南方集团有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/19 | 分类号： | H03F3/19;H03F3/21 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 陈鹏 |
| 地址： | 211153 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电抗 匹配 分布式 融合 宽带 功率 芯片 电路 | ||
1.一种电抗匹配式与分布式相融合的超宽带功率芯片电路，其特征在于，包括功率驱动单元(101)、功率输出单元(102)和级间匹配单元(103)；
所述功率驱动单元(101)采用N个晶体管级联的分布式结构，功率输出单元(102)采用N个晶体管所并联的电抗匹配式结构；
所述级间匹配单元(103)包括分布式结构输出端匹配电路和电抗匹配式结构输入端匹配电路；在分布式结构输出端匹配电路中，直流压点(111)为分布式漏极提供电压，并与第一MIM电容(121)并联，再串联第二微带线(132)，构成分布式结构输出端匹配电路的漏极加电偏置电路；第一微带线(131)、第三微带线(133)与第二MIM电容(122)串联构成分布式结构的输出匹配网络；电抗匹配式结构输入端匹配电路包括第四微带线(134)与串联的第三MIM电容(123)，整个级间匹配单元(103)电路匹配结构构成分布式与电抗匹配式结构相融合的无源匹配拓扑结构。
2.根据权利要求1所述的电抗匹配式与分布式相融合的超宽带功率芯片电路，其特征在于，分布式结构输出端匹配电路经过输出匹配网络使得分布式射频输出端阻抗Zout1匹配到某一特定阻抗点，电抗匹配式结构输入端匹配电路的射频输入端阻抗Zin1也匹配到相应特定阻抗点，通过特定的中间阻抗，使得分布式的输出端阻抗Zout1与电抗匹配式的输入端阻抗Zin1相匹配。
3.根据权利要求2所述的电抗匹配式与分布式相融合的超宽带功率芯片电路，其特征在于，中间阻抗为50欧姆。
4.根据权利要求1、2或3所述的电抗匹配式与分布式相融合的超宽带功率芯片电路，其特征在于，所述超宽带功率芯片电路采用GaAs或GaN材料作为基片。
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