[发明专利]部分背面金属移除切割系统及相关方法在审
申请号: | 201911387253.8 | 申请日: | 2019-12-30 |
公开(公告)号: | CN111489965A | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | M·J·塞登 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/78;H01L21/67 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 张小稳 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 部分 背面 金属 切割 系统 相关 方法 | ||
1.一种切割包括在衬底中的多个管芯的方法,所述方法包括:
在衬底的第一侧上形成多个管芯;
在所述衬底的第二侧上形成背面金属层;
形成仅部分地穿过所述背面金属层的厚度的沟槽,其中所述沟槽位于所述衬底的管芯划道中;以及
通过移除所述管芯划道中的背面金属材料并移除所述管芯划道中的衬底材料来切割包括在所述衬底中的所述多个管芯。
2.根据权利要求1所述的方法,其中切割包括在所述衬底中的所述多个管芯还包括通过等离子体蚀刻从管芯的第一侧移除所述管芯划道中的衬底材料,以及通过射流烧蚀移除所述管芯划道中的背面金属的厚度的剩余材料。
3.根据权利要求1所述的方法,还包括使用面向所述衬底的所述第二侧的相机监测所述沟槽的形成。
4.一种切割包括在衬底中的多个管芯的方法,所述方法包括:
将沟槽形成为管芯划道中的背面金属层的第一厚度,所述背面金属层耦接到衬底;
蚀刻所述背面金属层,其中所述蚀刻将所述衬底暴露在所述管芯划道中,并且将所述背面金属层减薄到第二厚度;以及
通过移除所述管芯划道中的衬底材料来切割包括在所述衬底中的多个管芯。
5.根据权利要求4所述的方法,还包括在所述背面金属层和所述衬底之间沉积粘附层、扩散阻挡层或它们的任何组合中的一个。
6.根据权利要求5所述的方法,其中所述粘附层、所述扩散阻挡层或它们的任何组合中的所述一个用作蚀刻停止层。
7.一种切割包括在衬底中的多个管芯的方法,所述方法包括:
在衬底的第一侧上形成多个管芯;
在衬底的第二侧上形成背面金属层;
在管芯划道中形成部分地穿过所述背面金属层的第一厚度的沟槽;
蚀刻所述背面金属层,其中所述蚀刻将所述衬底的一部分暴露在所述管芯划道中,并且将所述背面金属层减薄到第二厚度;以及
通过在所述衬底的被所述蚀刻暴露的所述部分处进行等离子体蚀刻,切割包括在所述衬底中的所述多个管芯。
8.根据权利要求7所述的方法,还包括使所述衬底的所述第二侧减薄,其中将所述衬底减薄到小于50微米。
9.根据权利要求7所述的方法,其中将所述背面金属层减薄到10微米。
10.根据权利要求7所述的方法,其中使用激光束来形成所述沟槽,并且使用面向所述衬底的所述第二侧的相机监测所述沟槽的形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造