[发明专利]湿法清洗机台中改善水痕缺陷的装置和方法

说明书

本发明公开了一种湿法清洗机台中改善水痕缺陷的装置，湿法清洗机台包括：晶圆传输手臂，晶圆容器，湿法清洗腔。晶圆传输手臂包括多个晶圆抓。各晶圆抓设置在手臂杆上且各晶圆抓的开口向下。在晶圆传输手臂上还设置有气体管路，气体管路中设置有吹气孔；当晶圆传输手臂抓取一批次的晶圆时，吹气孔位于各晶圆的上方并对晶圆表面吹气，利用惰性气体或氮气保护晶圆表面，避免晶圆长时间暴露在空气中，产生水痕缺陷。本发明还提供一种湿法清洗机台中改善水痕缺陷的方法。本发明能改善水痕缺陷，提高产品良率。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种湿法清洗(WET bench)机台中改善水痕缺陷的装置。本发明还涉及一种湿法清洗机台中改善水痕缺陷的方法。

背景技术

WET bench清洗过程中，一般要求在能够去除表面颗粒和残留时，不能产生水痕(water mark)等其它新缺陷，否则会直接影响产品的良率。

HF药液处理之后晶圆表面有大量硅氢键，晶圆通常为硅晶圆，硅氢键存在于裸露的Si表面，硅氢键容易与氧气、水发生反应，脱水形成SiO2。使用晶圆传输(WTR)手臂的机台，晶圆在空气中暴露的时间较长，达到20s左右，导致water mark缺陷产生。

如图1所示，是现有湿法清洗机台的结构示意图；如图2所示，是现有湿法清洗机台中晶圆传输手臂1抓取晶圆4时的正面图；如图3所示，是现有湿法清洗机台中晶圆传输手臂1抓取晶圆4时的侧面图；现有湿法清洗机台的整体结构也请参考图1所示，现有湿法清洗机台包括：

晶圆传输手臂1，晶圆容器2，湿法清洗腔3。图1中，湿法清洗腔3也用CHB表示。

所述晶圆传输手臂1用于将一批次的晶圆4放置到对应的所述晶圆容器2或从对应的所述晶圆容器2中抓取一批次的所述晶圆4。如图2所示，箭头线104表示所述晶圆抓201在张开和夹紧的两个状态之间变化的示意箭头。

所述晶圆4通常为硅晶圆。

一批次的所述晶圆4通过所述晶圆容器2放置在所述湿法清洗腔3中进行清洗。所述晶圆容器2上等间距设置有多个晶圆4放置槽。

所述晶圆传输手臂1包括多个晶圆抓201，各所述晶圆抓201用于抓取一片对应的所述晶圆4。

所述晶圆抓201等间距的设置在所述手臂杆202上，所述晶圆抓201和所述晶圆4放置槽的数量相等。

所述湿法清洗腔3包括多个。

所述晶圆传输手臂1能移动到各所述湿法清洗腔3顶部，所述晶圆传输手臂1的移动方向如标记标记101对应的箭头所示。

所述晶圆容器2能相对于所述湿法清洗腔3上下移动，如标记102对应的箭头所示。

所述晶圆容器2还能在所述湿法清洗腔3上方相对于所述湿法清洗腔3左右移动，如标记103对应的箭头所示。

各所述晶圆抓201设置在手臂杆202上且各所述晶圆抓201的开口向下。

如图2所示，当所述晶圆传输手臂1从所述晶圆容器2中抓取已经清洗好的所述晶圆4时，所述晶圆4将会暴露在空气中，空气中的氧气或水汽会对所述晶圆4表面产生不利影响，例如当所述晶圆4经过HF清洗时所述晶圆4的表面会形成硅氢键，在空气状态下，硅氢键容易被氧化并脱水形成SiO2，从而产生水痕缺陷。

如图3所示，所述晶圆容器2同时能放置一批次的多片所述晶圆4。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种湿法清洗机台中改善水痕缺陷的装置，能使晶圆在传输过程中避免长时间暴露在空气中发生反应，从而能改善水痕缺陷，提高产品良率。为此，本发明还提供一种湿法清洗机台中改善水痕缺陷的方法。