[发明专利]一种阻隔层膜结构及其应用

权利要求书

1.一种阻隔层膜结构，其特征在于，包括相互层叠的若干个单元阻隔层；所述单元阻隔层包括第一子阻隔层和第二子阻隔层；其中所述第一子阻隔层选自金属氟化物、无机非金属氧化物、金属氧化物中的任意一种或几种物质的组合；所述第二子阻隔层选自金属氧化物、金属氮化物、半导体掺杂化合物中的任意一种或几种物质的组合；所述第一子阻隔层和所述第二子阻隔层所选物质种类不完全相同。

2.根据权利要求1所述的阻隔层膜结构，其特征在于，所述单元阻隔层还包括第三子阻隔层；所述第三子阻隔层选自金属氟化物、无机非金属氧化物、金属氧化物、金属氮化物、半导体掺杂化合物中的任意一种或几种物质的组合；所述第三子阻隔层和相邻的所述单元阻隔层所选物质种类不完全相同。

3.根据权利要求2所述的阻隔层膜结构，其特征在于，所述第三子阻隔层位于所述第一子阻隔层和所述第二子阻隔层之间。

4.根据权利要求1～3任一所述的阻隔层膜结构，其特征在于，若干个所述单元阻隔层之间的层叠关系通过蒸镀法、溅射法或气相沉积法得到。

5.根据权利要求4所述的阻隔层膜结构，其特征在于，所述金属氟化物选自MgF₂、BaF₂、YF₃、YbF₃、GdF₃、LaF₃、AlF₃中的任意一种或几种物质的组合；所述无机非金属氧化物为SiO₂；所述金属氧化物选自Y₂O₃、Al₂O₃、ZnO、SnO、TiO₂、Ta₂O₅、Nb₂O₅、ZrO₂、HfO₂中的任意一种或几种物质的组合；所述金属氮化物选自Si₃N₄、AlN中的任意一种或几种物质的组合；所述半导体掺杂化合物选自AZO、ITO、IZO、ZTO、GZO中的任意一种或几种物质的组合。

6.根据权利要求5所述的阻隔层膜结构，其特征在于：

所述第一子阻隔层具备下述技术特征中的任意一种或几种：

a₁应力值为-5～-0.01GPa、

b₁折射率为1.3～1.8、

c₁消光系数小于0.01、

d₁层厚度为5～15nm；

所述第二子阻隔层具备下述技术特征中的任意一种或几种：

a₂应力值为-5～-0.01GPa、

b₂折射率为1.8～2.5、

c₂消光系数小于0.01、

d₂层厚度为5～15nm；

所述第三子阻隔层具备下述技术特征中的任意一种或几种：

a₃应力值为-5～-0.01GPa、

b₃折射率为1.8～2.5、

c₃消光系数小于0.01、

d₃层厚度为5～15nm。

7.根据权利要求1～3任一所述的阻隔层膜结构，其特征在于，按厚度计算，各单元阻隔层之间的关系如以下两种的任意一种：

aδ_{第一子阻隔层}:δ_{第二子阻隔层}＝3:(1～9)；

bδ_{第一子阻隔层}:δ_{第二子阻隔层}:δ_{第三子阻隔层}＝3:(1～9):(1～9)。