[发明专利]成像像素

权利要求书

1.一种成像像素，其特征在于，所述成像像素包括：

光电二极管，所述光电二极管被配置为响应于入射光而生成电荷；

溢出电容器；

第一晶体管，所述第一晶体管被配置为使得高于给定阈值的电荷能够从所述光电二极管溢出到所述溢出电容器；

浮动扩散区；

第二晶体管，所述第二晶体管插置在所述溢出电容器与所述浮动扩散区之间；和

环形导电层，所述环形导电层形成所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极。

2.根据权利要求1所述的成像像素，其特征在于，所述成像像素还包括：

转移晶体管，所述转移晶体管被配置为将电荷从所述光电二极管转移到所述浮动扩散区。

3.根据权利要求2所述的成像像素，其特征在于，所述成像像素还包括：

封闭扩散区，其中，所述环形导电层具有中心开口，所述中心开口与所述封闭扩散区重叠。

4.根据权利要求3所述的成像像素，其特征在于，所述成像像素还包括：

导电层，所述导电层将所述封闭扩散区电连接到所述溢出电容器。

5.根据权利要求4所述的成像像素，其特征在于，所述环形导电层的第一部分插置在所述封闭扩散区与所述光电二极管之间，并且所述环形导电层的第二部分插置在所述封闭扩散区与所述浮动扩散区之间。

6.根据权利要求5所述的成像像素，其特征在于，所述环形导电层的所述第一部分形成所述第一晶体管的所述栅极，并且所述环形导电层的所述第二部分形成所述第二晶体管的所述栅极，并且在于所述成像像素还包括：

偏置电压源端子触点；

重置晶体管，其中，所述重置晶体管具有插置在所述浮动扩散区与所述偏置电压源端子触点之间的栅极；

具有栅极的源极跟随器晶体管；

附加导电层，所述附加导电层将所述浮动扩散区电连接到所述源极跟随器晶体管的所述栅极；

列输出线；

输出触点，所述输出触点耦接到所述列输出线；

行选择晶体管，所述行选择晶体管具有插置在所述源极跟随器晶体管的所述栅极与所述输出触点之间的栅极；和

控制路径，所述控制路径被配置为向所述环形导电层提供单个控制信号。

7.一种成像像素，其特征在于，所述成像像素包括：

光电二极管，所述光电二极管被配置为响应于入射光而生成电荷；

浮动扩散区；

转移晶体管，所述转移晶体管插置在所述光电二极管与所述浮动扩散区之间；

隔离扩散区，所述隔离扩散区与环形栅极的中心开口重叠；

第一晶体管，所述第一晶体管插置在所述光电二极管与所述隔离扩散区之间，其中，所述环形栅极的第一部分形成所述第一晶体管的栅极；和

第二晶体管，所述第二晶体管插置在所述隔离扩散区与所述浮动扩散区之间，其中，所述环形栅极的第二部分形成所述第二晶体管的栅极。

8.根据权利要求7所述的成像像素，其特征在于，所述成像像素还包括：

存储电容器，所述存储电容器通过导电层耦接到所述隔离扩散区，其中，所述光电二极管被配置为在积聚时间期间响应于入射光而生成电荷，其中，所述第一晶体管被配置为使得电荷在所述积聚时间期间能够从所述光电二极管溢出到所述隔离扩散区，并且其中，所述第二晶体管被配置为将所述存储电容器耦接到所述浮动扩散区。