[发明专利]一种动态抑制功率半导体器件关断过电压的电路

权利要求书

1.一种动态抑制功率半导体器件关断过电压的电路，其特征在于：由电容、电阻、二极管、晶体管有机组合而成，其中电容C1、电阻R1、R2、R3构成晶体管Q的偏置电路；二极管D2连接在晶体管Q的发射结，保护晶体管Q不会被负电压击穿；二极管D3～D12连接在晶体管Q的基极和地之间，用于钳位晶体管Q的基极电压。

2.根据权利要求1所述的一种动态抑制功率半导体器件关断过电压的电路，其特征在于：电容采用陶瓷多层片式电容器，其接在功率半导体器件IGBT的集电极与晶体管Q的集电极之间，动态吸收功率半导体器件两端的过电压，其串联的电阻用来控制电容放电的速度，避免电容充放电速度过快，影响过电压抑制效果。

3.根据权利要求1所述的一种动态抑制功率半导体器件关断过电压的电路，其特征在于：电阻采用功率电阻，其包括电容的串联电阻与两个吸收电阻。串联电阻与电容串联接在功率半导体器件如IGBT的集电极与晶体管的集电极之间，是用于控制电容的充放电速度；两个吸收电阻，一个并联于电容串联电阻支路，一个并联于反向钳位二极管两端，二者是用于吸收晶体管导通后释放的大电流与功率半导体器件关断后电容上储存的能量。

4.根据权利要求1所述的一种动态抑制功率半导体器件关断过电压的电路，其特征在于：二极管采用肖特基二极管，其包括正向钳位二极管与反向钳位二极管，正向钳位二极管并联在晶体管基极与发射级两端由十个二极管串联而成，其钳位晶体管的极正向保护晶体管；反向钳位二极管并联在晶体管基极与发射级两端，用于电容放电时反向保护晶体管。

5.根据权利要求1所述的一种动态抑制功率半导体器件关断过电压的电路，其特征在于：功率半导体器件IGBT两端的过电压提供脉冲，晶体管Q导通后释放感生电流，由集电极电阻与发射级电阻形成泄放通路。