[发明专利]用于柱材料的钝化的原子注入

权利要求书

1.一种用于原子注入以用于柱材料的钝化的设备，其包括：

半导体装置的柱(105、227、555)，其包括：

第一部分(112、348)，其由氮化硅形成；

下方第二部分(109、347)，其由导电材料形成；

所述第一部分的区(117、237)，其与所述第一部分与所述下方第二部分之间的界面相对，所述区注入有不同于硅Si和氮N的元素的原子以增强所注入区的钝化。

2.根据权利要求1所述的设备，其中增强的钝化是相对于在所述原子的注入之前所述氮化硅的耐性而对所述所注入区的去除的增大的耐性。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述增强的钝化是所述所注入区对在所述柱附近进行的蚀刻工艺的增大的耐性。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述增强的钝化是所述所注入区对在所述所注入区附近进行的化学机械抛光工艺的增大的耐性。

5.根据权利要求1所述的设备，其中在所述柱的所述第一部分和所述第二部分的形成之后将所述第一部分的所述区中的所述原子注入到预期深度(118、238)和预期密度。

6.根据权利要求1至权利要求5中任一项所述的设备，其中：

沿所述柱的侧壁(106、233)的高度从所述柱的衬底(102)的水平面到预期水平面形成材料(115、234)，以减少穿过所述预期水平面下方的所述侧壁的所述原子的注入；且

所述材料配置成可在将所述原子注入到所述第一部分的所述区中之后去除。

7.根据权利要求1至权利要求5中任一项所述的设备，其中不同元素的所注入原子选自碳C、磷P、硼B以及砷As中的至少一种。

8.一种用于原子注入以用于柱材料的钝化的方法，其包括：

在与半导体装置的开口(107、232、553)相邻的柱(105、227、555)的顶部区(117、237)上形成氮化硅作为钝化材料(110)；

将不同于硅和氮的元素的原子注入到所述钝化材料中以形成增强的钝化材料；

处理所述半导体装置以去除与所述柱的所述顶部区和所述开口中的至少一个相关联的材料(115、234)；以及

基于由所注入原子赋予的增强的钝化来相对于在所述原子的注入之前所述钝化材料的可能的去除而减少从所述顶部区对所述增强的钝化材料的去除。

9.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：

在衬底材料(102)的表面上形成导电材料(109)；以及

在所述导电材料的相对表面上形成所述氮化硅作为所述钝化材料以保护所述导电材料不受所述处理影响；

其中所述导电材料配置成操作为用于半导体存储器装置(890、991)的存取线(993)、感测线(992)以及电极中的至少一个。

10.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括∶

沉积包括不同于硅和氮的所述元素的所述原子的涂层材料(115、234)以将所述开口填充到所述顶部区的上部表面；以及

沿所述钝化材料的侧壁(106、233)的高度将所述涂层材料蚀刻到预期水平面以暴露所述预期水平面上方的所述顶部区的所述上部表面和所述侧壁。

11.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括∶

注入穿过所述顶部区的上部表面和所述钝化材料的侧壁的所述元素的原子；以及

基于在所述开口中和沿所述侧壁沉积到所述预期水平面的涂层材料的存在来减少穿过预期水平面下方的所述侧壁的所述原子的注入。