[发明专利]金属化合物材料及其制备方法、量子点发光二极管和发光装置

说明书

本发明提供了一种金属化合物材料，包括金属化合物纳米颗粒和芳香肼，其中，所述芳香肼中的‑NHNHsubgt;2/subgt;结合在芳香基上，且所述芳香肼通过‑NHNHsubgt;2/subgt;中的氮原子与所述金属化合物纳米颗粒配位结合。本发明通过表面修饰在金属化合物纳米颗粒表面吸附芳香肼分子，实现了对金属化合物纳米颗粒的表面结构调制，增强金属化合物纳米颗粒的导电性。

技术领域

本发明属于纳米材料技术领域，尤其涉及一种金属化合物材料及其制备方法，一种量子点发光二极管，一种发光装置。

背景技术

半导体量子点(QDs)具有量子尺寸效应，人们通过调控量子点的大小来实现所需要的特定波长的发光，CdSe QDs的发光波长调谐范围可以从蓝光一直到红光。在传统的无机电致发光器件中电子和空穴分别从阴极和阳极注入，然后在发光层复合形成激子发光。宽禁带半导体中导带电子可以在高电场下加速获得足够高的能量撞击QDs使其发光。

表面化学修饰可以通过对超导、金属态、半金属态及半导体态等电子结构形态进行改变，从而引发电子转移或晶格变化来改变其本征物理性质。更为重要的是，这类引发表面电子转移或局部晶格畸变的化学修饰方式不会破坏材料结构的完整性，因此成为调控无机纳米材料本征物理性质的有效方法。目前，作为发光二极管的电子传输材料多采用未经修饰的金属化合物，而金属化合物的电子传输性能，还有进一步改进的空间。

发明内容

本发明的目的在于提供一种金属化合物材料及其制备方法，旨在解决现有的电子传输材料的电子传输性能有待进一步提高的问题。

本发明的另一目的在于提供一种含有上述金属化合物材料的量子点发光二极管，以及一种含有上述量子点发光二极管的发光装置。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明第一方面提供一种金属化合物材料，包括金属化合物纳米颗粒和芳香肼，其中，所述芳香肼中的-NHNH₂结合在芳香基上，且所述芳香肼通过-NHNH₂中的氮原子与所述金属化合物纳米颗粒配位结合。

本发明第二方面提供一种金属化合物材料的制备方法，包括以下步骤：

提供金属化合物纳米颗粒、芳香肼和有机溶剂，将所述金属化合物纳米颗粒和所述芳香肼加入所述有机溶剂中，混合反应，使所述金属化合物纳米颗粒和所述芳香肼中的肼基氮原子配位结合，制备金属化合物材料。

本发明第三方面提供一种量子点发光二极管，包括相对设置的阴极和阳极，在所述阴极和所述阳极之间设置的量子点发光层，以及在所述阴极和所述量子点发光层之间设置的电子传输层，所述电子传输层的材料含有金属化合物材料，且所述金属化合物材料包括金属化合物纳米颗粒和芳香肼，其中，所述芳香肼中的-NHNH₂结合在芳香基上，且所述芳香肼通过-NHNH₂中的氮原子与所述金属化合物纳米颗粒配位结合。

本发明第四方面提供一种发光装置，包括上述的量子点发光二极管。

本发明提供的金属化合物材料包括金属化合物纳米颗粒和芳香肼，芳香肼分子中，芳香基作为供电子基团与-NHNH₂相连接，且-NHNH₂上的氮原子的电负性较大，使π电子云向氮原子上偏移，在氮原子周围电子云密度高。因此，金属化合物纳米颗粒表面吸附芳香肼分子后，芳香肼分子中的肼基氮原子能够通过孤对电子与金属化合物纳米颗粒进行配位，为金属化合物纳米颗粒提供电子，从而提高金属化合物纳米颗粒的电子传输能力，促进电子-空穴在量子点中的有效复合，降低激子累积对发光二极管器件性能的影响，从而提高量子点发光二极管的性能。综上，本发明通过表面修饰在金属化合物纳米颗粒表面吸附芳香肼分子，实现了对金属化合物纳米颗粒的表面结构调制，增强金属化合物纳米颗粒的导电性。