[发明专利]一种泡沫镍基底负载钴酸铜纳米线阵列材料及其制备方法

权利要求书

1.一种泡沫镍基底负载钴酸铜纳米线阵列材料的制备方法，其特征在于所述制备方法的步骤是：

步骤1、按二水合氯化铜∶六水合氯化钴∶尿素的摩尔比为3∶6∶28配料，再按二水合氯化铜的浓度为0.003～0.015mol/L，将所述二水合氯化铜、所述六水合氯化钴和所述尿素溶于去离子水中，在室温条件下搅拌，得到混合溶液；

步骤2、将所述混合溶液转入高压反应釜中，再将预处理过的泡沫镍浸入到所述混合溶液中，在120～125℃条件下水热反应10～12h，自然冷却至室温，然后用去离子水洗涤3～5次，在80～90℃条件下干燥6～8h，得到前躯体；

步骤3、将所述前躯体置于管式气氛炉中，在空气气氛中，以4～5℃/min的速率升温至400～450℃，保温2～3h，冷却，制得泡沫镍基底负载钴酸铜纳米线阵列材料；

所述泡沫镍基底负载钴酸铜纳米线阵列材料的钴酸铜纳米线与三维孔洞结构的泡沫镍相结合，形成泡沫镍孔洞与紧密排列纳米线嵌套的三维结构。

2.根据权利要求1所述的泡沫镍基底负载钴酸铜纳米线阵列材料的制备方法，其特征在于所述二水合氯化铜、六水合氯化钴和尿素均为分析纯。

3.根据权利要求1所述的泡沫镍基底负载钴酸铜纳米线阵列材料的制备方法，其特征在于所述预处理过的泡沫镍是，将泡沫镍先用3mol/L盐酸超声清洗15～30min，再用乙醇超声清洗15～30min，然后用去离子水超声清洗15～30min，即得预处理过的泡沫镍。

4.一种泡沫镍基底负载钴酸铜纳米线阵列材料，其特征在于所述泡沫镍基底负载钴酸铜纳米线阵列材料是根据权利要求1～3项中任一项所述泡沫镍基底负载钴酸铜纳米线阵列材料的制备方法所制备的泡沫镍基底负载钴酸铜纳米线阵列材料。