[发明专利]Mini LED芯片制备方法在审
| 申请号： | 201911390804.6 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111106210A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 彭翔;封波;赵汉民 | 申请（专利权）人： | 晶能光电（江西）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330096 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mini led 芯片 制备 方法 | ||
1.一种Mini LED芯片制备方法，其特征在于，包括：
S1在硅衬底表面依次制备GaN结构和p型欧姆接触层；所述GaN结构中包括n型GaN层、量子阱结构及p型GaN层；
S2于N电极处对所述p型欧姆接触层和GaN结构进行蚀刻直至n型GaN层；
S3对管芯边缘的GaN结构进一步蚀刻直至硅衬底；
S4在步骤S3得到的结构表面生长绝缘层；
S5分别对n型GaN层和p型欧姆接触层表面的绝缘层进行蚀刻形成N极孔和P极孔，并在所述N极孔和P极孔上分别形成N-Pad层和P-Pad层；
S6于步骤S5得到的结构表面涂覆支撑层，覆盖所述N-Pad层和P-Pad层；
S7去除所述硅衬底并转移至支撑膜上；
S8对所述支撑层进行减薄直至所述N-Pad层和P-Pad层；
S9切割得到单颗Mini LED芯片，完成Mini LED芯片的制备。
2.如权利要求1所述的Mini LED芯片制备方法，其特征在于，在步骤S5中，所述N-Pad层和P-Pad层的厚度为5～100μm。
3.如权利要求1或2所述的Mini LED芯片制备方法，其特征在于，在步骤S5中，所述N-Pad层和P-Pad层由Cr、Ti、Ni、Au、Al、Pt、Sn、AuSn合金或锡膏制备而成，或由Cr、Ti、Ni、Au、Al、Pt、Sn、AuSn合金或锡膏中的多种金属层叠加制备而成。
4.如权利要求1或2所述的Mini LED芯片制备方法，其特征在于，在步骤S6中，所述支撑层由白胶、硅胶或环氧树脂胶制备而成。
5.如权利要求1或2所述的Mini LED芯片制备方法，其特征在于，在步骤S7中，支撑膜为高温膜或UV膜。
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