[发明专利]存储装置及其操作方法在审
申请号: | 201911391191.8 | 申请日: | 2019-12-30 |
公开(公告)号: | CN112000275A | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
发明(设计)人: | 池承九 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06;G11C16/04;G11C16/08;G11C16/10 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 崔卿虎 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 装置 及其 操作方法 | ||
本文描述了存储装置及其操作方法。一种具有增强的操作效率的存储装置可以包括:存储器装置,包括多个存储器块;以及存储器控制器,被配置为使用相同的随机种子来执行对多个存储器块之中的不同存储器块中存储的数据进行去随机化的操作。
本申请要求于2019年5月27日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2019-0061906的优先权,其全部公开内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开的各种实施例涉及电子装置,并且更具体地涉及存储装置及其操作方法。
背景技术
存储装置是被配置为存储数据的装置。存储装置可以包括被配置为存储数据的存储器装置以及被配置为控制存储器装置的存储器控制器。半导体存储器装置是使用诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等的半导体的存储器装置。存储器装置分为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。
易失性存储器装置是在断电时丢失存储在其中的数据的存储器装置。作为非限制性示例,易失性存储器装置的代表性示例包括静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)和同步DRAM(SDRAM)。非易失性存储器装置是即使断电也保持存储在其中的数据的存储器装置。作为非限制性示例,非易失性存储器装置的代表性示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变随机存取存储器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)和铁电RAM(FRAM)。闪存分为NOR类型和NAND类型。
发明内容
本公开的各种实施例针对具有增强的操作效率的存储装置以及操作存储装置的方法。
本公开的实施例可以提供一种控制器,该控制器被配置为控制包括第一存储器块和第二存储器块的存储器装置的操作,并且包括:随机表,被配置为包括第一地址组和第二地址组以及随机种子组,第一地址组包括第一存储器块中包括的存储器单元的地址,第二地址组包括第二存储器块中包括的并且与第一存储器块中包括的存储器单元的相应地址相对应的存储器单元的地址,随机种子组包括与第二存储器块中包括的存储器单元的相应地址相对应的随机种子;随机种子生成器,被配置为基于第一地址组或第二地址组中包括的地址之中待存储写入数据的地址,从随机种子组中包括的随机种子之中输出所选择的随机种子;以及操作部件,被配置为使用所选择的随机种子和原始数据,通过随机化来生成写入数据。
本公开的实施例可以提供一种存储装置,包括:存储器装置,包括第一存储器块和第二存储器块;以及控制器,被配置为控制存储器装置,其中控制器通过使用与第二存储器块相对应的随机种子将待存储在第一存储器块中的数据随机化来生成写入数据,并且将写入数据提供给存储器装置以存储在第一存储器块中。
本公开的实施例可以提供一种存储装置,包括:存储器装置,包括多个存储器块;以及存储器控制器,被配置为使用相同的随机种子来执行随机化或去随机化的操作中的至少一个;其中将数据随机化的操作是使用原始数据和相同的随机种子生成待存储在多个存储器块之中的不同存储器块中的数据的操作,其中将数据去随机化的操作是使用相同的随机种子和不同存储器块中的一个中存储的数据来生成原始数据的操作。
本公开的实施例可以提供一种操作控制器的方法,该控制器被配置为控制包括多个存储器块的存储器装置,该方法包括:从主机接收原始数据和写入请求;基于待存储原始数据的地址、通过将原始数据随机化来生成写入数据;以及将写入数据提供给存储器装置,其中生成写入数据包括:根据待存储原始数据的地址来确定随机种子;以及使用随机种子执行随机化操作,其中随机种子共同地对应于与待存储原始数据的地址不同的至少一个或多个地址。
附图说明
图1是图示根据本公开的实施例的包括存储器装置的存储装置的图。
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