[发明专利]电荷装载仓容性陶瓷半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201911391586.8 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN110942875B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 全宇辰;杜佳悦;余崇威;米林山;王根春;朱立华 | 申请（专利权）人： | 北京捷安通达科技有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/12 | 分类号： | H01C7/12;H01C1/142;H01C1/034;H01C17/00;H01C17/02;H01C17/28;H01C17/30;C04B35/453;C04B35/622;C04B41/90 |
| 代理公司： | 北京市商泰律师事务所 11255 | 代理人： | 黄晓军 |
| 地址： | 102300 北京市门头沟区石*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电荷 装载 仓容 陶瓷 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种电荷装载仓容性陶瓷半导体装置，其特征在于，包括：
由设定数量的形状相同的几何片状体的陶瓷半导体结构串联组成，串联过渡体为铝箔或锡箔，每一个几何片状体的陶瓷半导体结构串联的截面附着导电金属电极，侧面刷涂玻璃釉绝缘浆料；
所述导电金属电极是氧化铋银浆料或者铝浆料经过300-900°C烧结完成熔化附着；或者是，铝浆料经过粘合剂喷涂后烧结附着；或者是，金属铜通过高温溅射的方法附着；或者是，化学沉积法镀镍附着；
装载电荷组分辅助材料包括：SrTiO3、Li3ZrO3、ZaB2O4、Bi2TiSiO7中的任意一种或者多种材料组合；
所述电荷装载仓容性陶瓷半导体装置烧结前的各个组分材料的摩尔配比的配方为：
配方一：ZnO,82-92％；Bi2O3,4-7％；Sb2O3,1-2％；CO2O3,0.1-1.3％；MnO2,0.2-3％；Sn2O3,0.1-0.22％；Cr2O3,0.5-2.5％；SiO2,0.02-1.0％；NiO,0.4-1.65％；ALOH3,0.01-0.1％；AGCO3,0.001-0.009％；组分辅助材料0.2-6.6％；
配方二：ZnO,81-93％；Bi2O3,2.3-5％；Sb2O3,0.1-2％；CO2O3,0.7-1.6％；MnO2,0.1-0.9％；Sn2O3,0.2-0.42％；Cr2O3,0.1-0.5％；SiO2,0.01-0.1.0％；NiO,0.12-0.95％；ALOH3,0.001-0.01％；组分辅助材料0.05-1.6％。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述设定数量为5-30个。
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，每个几何片状体的陶瓷半导体结构的闪电导通电压在500-5000V之间。
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