[发明专利]微型发光元件显示装置有效

专利信息
申请号: 201911391953.4 申请日: 2019-12-30
公开(公告)号: CN111063270B 公开(公告)日: 2022-06-21
发明(设计)人: 吴志凌;陈彦烨;苏义闵;史诒君;吴柏威;罗玉云;林映廷;林子旸 申请(专利权)人: 錼创显示科技股份有限公司
主分类号: G09F9/33 分类号: G09F9/33;H01L27/15
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 罗英;臧建明
地址: 中国台湾新竹科学园*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 微型 发光 元件 显示装置
【权利要求书】:

1.一种微型发光元件显示装置,包括:

电路基板;

多个微型发光元件,设置于所述电路基板上,且各所述微型发光元件包括:

磊晶结构;以及

第一型电极与第二型电极,分别设置于所述磊晶结构的相对两侧表面上;

第一型共电极层,设置于所述电路基板上,且直接覆盖所述多个微型发光元件的所述多个第一型电极;

第二型共电极层,设置于所述多个微型发光元件之间,并且接触所述第一型电极,其中所述第一型共电极层电性连接所述第二型共电极层,所述第一型共电极层配置于所述第二型共电极层上,所述第二型共电极层自所述多个微型发光元件的所述多个第一型电极之间凸伸而出;以及

波长转换层,设置于所述第二型共电极层之间,其中所述第二型共电极层具有对应地设置于所述多个微型发光元件上的多个凹槽,所述第二型共电极层中定义每一所述多个凹槽的侧壁具有光反射特性,且所述波长转换层填入所述多个凹槽内。

2.根据权利要求1所述的微型发光元件显示装置,其中所述第二型共电极层的导电率高于所述第一型共电极层的导电率。

3.根据权利要求1所述的微型发光元件显示装置,其中所述第一型共电极层的可见光穿透率大于所述第二型共电极层的可见光穿透率。

4.根据权利要求1所述的微型发光元件显示装置,其中所述第一型共电极层的厚度小于所述第二型共电极层的厚度。

5.根据权利要求1所述的微型发光元件显示装置,其中所述第一型共电极层的材质包括金属氧化物,所述第二型共电极层的材质包括金属或合金。

6.根据权利要求1所述的微型发光元件显示装置,其中所述第二型共电极层在第一方向上具有宽度,两相邻的所述多个微型发光元件之间在所述第一方向上具有最大间距与最小间距,而所述第二型共电极层的所述宽度大于等于所述最小间距且小于等于所述最大间距。

7.根据权利要求1所述的微型发光元件显示装置,其中所述第二型共电极层在第一方向上的宽度大于等于所述第一型电极在所述第一方向上的宽度。

8.根据权利要求1所述的微型发光元件显示装置,其中所述第一型共电极层的导电率小于所述第一型电极的导电率。

9.根据权利要求8所述的微型发光元件显示装置,其中所述第一型共电极层的可见光穿透率大于所述第一型电极的可见光穿透率。

10.根据权利要求1所述的微型发光元件显示装置,还包括:

间隙,位于所述多个微型发光元件、所述第二型共电极层与所述电路基板之间。

11.根据权利要求10所述的微型发光元件显示装置,其中各所述微型发光元件还包括:

绝缘层,设置于所述磊晶结构与所述第二型共电极层之间,且覆盖至少部分所述磊晶结构。

12.根据权利要求1所述的微型发光元件显示装置,其中所述微型发光元件在第一方向上具有最小宽度与最大宽度,而所述微型发光元件的所述最小宽度与所述最大宽度的比值小于等于0.5且大于等于0.05。

13.根据权利要求1所述的微型发光元件显示装置,其中所述微型发光元件在第一方向上具有最大宽度,两相邻的所述多个微型发光元件之间在所述第一方向上具有最大间距,且所述最大间距小于所述微型发光元件的所述最大宽度。

14.根据权利要求1所述的微型发光元件显示装置,其中所述磊晶结构包括第一型半导体层、发光层以及第二型半导体层,所述发光层位于所述第一型半导体层与所述第二型半导体层之间,且所述第二型共电极层在平行于所述电路基板的方向上重叠于所述发光层。

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